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采用N_2-RF等离子体氮化GaAs(001)(英文)
研究了在MBE系统中 ,GaAs( 0 0 1 )表面的氮化过程。GaAs( 0 0 1 )表面直接和间接地暴露在等离子体激发的N2 气流下。两种氮化过程......
期刊
N_2-RF
多晶结构
GaN
原子级
分子束外延
表面损伤
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