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NiFe-film相关论文
基于AMR效应与Si集成的开关芯片制备与设计
采用射频(直流)磁控溅射的方法,在生长了约200nm厚Si3N4过渡层的硅片上制备了NiFe薄膜。采用惠斯通电桥作为磁场的感应部分,设计了惠斯......
期刊
各向异性磁阻
溅射
NiFe薄膜
惠斯通电桥
开关芯片
anisotropic magnetoresistance
sputtering
NiFe-film
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