NiFe薄膜相关论文
Ni81Fe19合金薄膜因具有高饱和磁化强度、低矫顽力、低铁磁共振线宽等特点，被广泛应用于微波/毫米波器件中，如：带通滤波器、带阻滤波......
本文采用直流磁控溅射方法分别制备了NiFe单层软磁薄膜和NiFe-Cu-NiFe三层薄膜。使用掠入射X射线分析(GIXA)技术对不同NiFe薄膜的......
基于辉光放电原理在超高本底真空下制备了Ni81Fe19(12 nm)超薄薄膜,其各向异性磁电阻(AMR)变化率达到1.2%,而矫顽力却只有127 A/m......
采用射频（直流）磁控溅射的方法，在生长了约200nm厚Si3N4过渡层的硅片上制备了NiFe薄膜。采用惠斯通电桥作为磁场的感应部分，设计了惠斯......
利用微磁学方法系统研究了纳米尺度的NiFe薄膜菱形单元的自发磁化状态及剩磁状态。研究结果表明，在不同的尺寸下，菱形单元将有不同的......
采用射频磁控溅射法用Ta作为缓冲层,在集成电路晶元上制备NiFe薄膜,并研究分析了Ta缓冲层厚度以及Ta缓冲层溅射功率对NiFe磁阻薄膜......
基于辉光放电原理在不同的溅射气压下制备的NiFe薄膜,发现较低溅射气压下比较高溅射气压下制备的NiFe薄膜的磁性能要好得多.较低溅......
NiFe多层膜一直是各向异性磁电阻材料领域中的研究热点。为满足现代工业对器件尺寸的严格要求,需要在NiFe薄膜尽可能薄的条件下改......
基于NiFe薄膜磁电阻各向异性的磁性传感器,由于其较低的饱和磁场、较高的电阻变化率和较小的退磁场等优点,在我们的日常生活中有重......
基于辉光放电原理在超高本底真空下制备了 Ｎｉ８１Ｆｅ１９（１２ｎｍ）超薄薄膜，其各向异性磁电阻（ＡＭＲ）变化率达到 １．２％，而矫顽力却只有１２７ Ａ／ｍ．同较低本底真空下制备的 Ｎｉ８１Ｆｅ１９薄膜进行......
各向异性磁电阻（AMR）薄膜材料被广泛应用于磁传感器和硬盘的读出磁头中。器件的小型化要求AMR薄膜材料必须做得很薄。采用磁控溅射的......
Ni基磁性薄膜由于其磁各向异性、耐腐蚀性能被广泛用于磁头、磁存储等器件中。在应用的过程中为了增加设备的存储密度密度，不影响其......
信息技术的不断进步,使电子产品向小型化,集成化方向发展。最终目标是将各种功能单元在单个芯片上实现,即片上系统(SOC, System On......
