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P-GaN器件相关论文
漏压对P-GaN HEMT导通电阻和阈值电压的影响
为了研究漏极偏压变化对P-GaN器件可靠性的影响,文中对P-GaN商用器件进行漏极应力测试。通过改变漏极应力偏置电压和偏置时间,观察......
期刊
P-GaN器件
可靠性
导通电阻
阈值电压
关态时间
漏极电压
表面陷阱
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