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PL强度相关论文

AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱结构的光致发光谱

用固态源MBE技术生长了AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱材料，研究了通过改变多量子阱AlGaAsSb/InGaAsSb中的结构参数,如多量子阱中InGaAs......

期刊

AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱 PL强度激光器

平板显示中优质ZnS薄膜的生长

报道了在（100）Si和砷化镓基板上，用化学来外延法和金属有机物分子束外延法生长出无掺杂和Mn掺杂的ZnS的综合研究。该研究用于先进的电......

期刊

平板显示 ZNS薄膜带边发射激发态 PL强度铁磁性与温度的关系外延层 MN掺杂温度升高

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