外延层相关论文
对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体GaxIn1-xP材料的性质、应用和外延工艺的发展进行了简单阐述，重点介绍了GaxIn1-xP材料的氢化物气相外延（HVPE）......
利用AFM和TEM观测对GaN上利用低温AIN插入层生长的Al2Ga1-xN外延层进行了研究。发现AIN插入层能够有效抑制AlxGa1-xN外延层中的刃......
本文通过高分辨X射线衍射、光荧乐、二次离子质谱(SIMS)、原子力显微镜和同步辐射X射线衍射分析了AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的影......
利用水平热壁CVD方法,在SiH4-C3H8-H2系统中通过降低反应压强在n型4H-SiC偏4°衬底上同质外延生长了高质量的外延层.利用红外傅里......
会议
利用LP-MOCVD技术，在（100）GaAs 单晶衬底上生长了InAs0.9Sb0.1 材料。用X 射线单晶衍射、光学显微镜和扫描电镜等方法对材料进行了表......
本文介绍了热解石墨涂层的制备,工艺参数的选择,结合热解石墨的性能和若干单位的实践,阐明了对热解石墨涂层做外延基座材料的初浅......
一、序言热解氮化硼(Pyrolytic Boron Nitride,简称PBN)是特种陶瓷材料,有各向异性和各向同性之分。据文献报导,前者用途较广,而......
Effect of the V/Ⅲ ratio during buffer layer growth on the yellow and blue luminescence in undoped Ga
Effect of the V/III ratio during buffer layer growth on the yellow and blue luminescence in undoped GaN epilayer has bee......
采用金属有机化学气相沉积方法在无掩模的直径为400nm的圆柱Si(100)图形衬底上外延生长了GaAs薄膜。图形衬底采用纳米压印技术及反......
通过计算机辅助技术,采用晶体相场法模拟了不同时间步长,不同衬底倾角,不同界面曲率下异质外延的生长演化过程,结合外延层生长时的......
进一步提高我国分子束外延技术的探讨孔梅影，梁基本，曾一平（中国科学院半导体研究所北京１０００８３）十多年来，我国的分子束外延（ＭＢＥ）技术从无到有，并不断......
用ＩＣＢ外延技术在ＮａＣｌ（１００）和Ｓｉ（１１１）衬底上生长了ＣｄＴｅ单晶薄膜．Ｘ光衍射、电子背散射通道及ＲＨＥＥＤ都表明获得了良好的单晶结构及平滑膜面．外延取向关系为ＣｄＴｅ（１００）／ＮａＣｌ（１００）和ＣｄＴｅ（１１１）／Ｓｉ（１１１）．实验发现，生......
ＧａＮＭＥＳＦＥＴ宽带隙半导体已在高温电子学和大功率微波器件领域日益引起人们的重视。这主要是因为宽带隙材料产热率较低，击穿电场较高。ＧａＮ材料不仅......
叙述了一种减小硅外延自掺杂影响的改进的二步外延法：减压－常压二步法。采用该方法所生长的外延层，其过渡区明显小于常规二步法的结果......
我们利用分子束外延方法生长了低温ＧａＡｓ薄膜，并应用Ｘ射线双晶衍射、ＴＥＭ等手段对其进行了初步研究．发现原生样品和树底之间存在晶格失配．随着退......
报道了用低压金属有机化学汽相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术在（１００）ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＧａＡｓＰ体材料及ＩｎＧａＡｓＰ（１．３μｍ）／ＩｎＧａＡｓＰ（１．６μｍ）量子阱结构的生长条件和实验结果。比较了５５０℃和５８０℃两个生长温度下Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ体......
用分子束外延方法在ＧａＡｓ上生长ＩｎＳｂ薄膜。方法是先在温度３８０℃生长ＩｎＳｂ有源层。然后低温（３００℃）生长一层约０．０３μｍ厚的ＩｎＳｂ缓冲层。Ｓｂ＿４与Ｉｎ的束流等效压强比为４：１时，可获得......
利用分子束外延（ＭＢＥ）对ＧａＡＩＡｓ和ＧａＡｓ的选择性热蚀特性进行光栅上的二次外延生长，既能获得清洁的外延界面，又能精确控制光栅的形状．采用这种方法，我们在......
本文报导了用常压ＭＯＣＶＤ技术在ＧａＡｓ衬底上生长ＧａＳｂ、ＧａＡｓＳｂ、ＡｌＧａＳｂ和ＡｌＧａＡｓＳｂ异质外延材料的实验结果。研究了生长条件和材料质量的相互关系，优化了生长参数。首次采用......
简单介绍了８５０Ｖ／１８Ａ、１２００Ｖ／８ＡＩＧＢＴ的研制与工艺，并给出了测试结果。
The development and technology of 850V / 18A and 1200V / 8AIGBT are briefly ......
本文介绍了一种用Ｘ射线双晶衍射仪测定外延层与衬底界面状况并同时测定外延层点阵常数及组分的方法，只需测量三个衍射，并考虑了晶体表......
利用霍耳效应研究半导体材料的电阻率，载流子浓度和迁移率是霍耳测量的主要技术之一。文章简单介绍了ＨＬ５５００霍耳测量系统；列举了用该霍耳系......
本文简要叙述了发光二极管的发展历史及其自身的特点，着重介绍了发光二极管的生产工艺，所使用的材料与发光特性的关系，以及发光二极管......
本文建议以金属有机化学汽相沉积外延技术制造高亮度发光二极管芯片的外延层。为了发展我国发光二极管的技术与产业，由高等院校与工......
本文论述了使用４Ｈ－ＳｉＣ衬底及外延层制作ＭＥＳＦＥＴ的方法，测得了栅长为０．７μｍ、栅宽为３３２μｍ的ＭＥＳＦＥＴ的直流、Ｓ参数和输出功率特性。当Ｖｄｓ＝２５Ｖ时，电流密度约为３００ｍＡ／ｍｍ，最大跨导在３８～４２ｍＳ／ｍｍ之间......
对双极模式静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）开通过程的理论分析和二维数值模拟清楚地表明，ＢＳＩＴ的完全开通须经过不同作用机制的两个阶段的转变，即正向小栅......
用红外光荧光测量分析了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ液相外延薄膜的发光特性，观察到局域激子及束缚激子发光．当外延层减薄至２μｍ后，ＰＬ信号的峰位将向高能方向移动，这是......
在Ⅲ－Ⅴ族半导体ＧａＡｓ外延层上共注入Ｅｒ和Ｏ离子（ＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ）．经面对面优化退火后，光致发光（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ－ＰＬ）谱中观测到对应Ｅｒ３＋第一激发态到基态４Ｉ１３／２－４Ｉ１５／２跃迁，其相对强度较单注入Ｅｒ的ＧａＡｓ（ＧａＡｓ：Ｅｒ）增强１０倍......
本文利用RHEED、X射线双晶衍射及TEM等技术，研究了在Si（001）衬底上，用晶化了的无定形Ge层做缓冲层MBE生长Ge时，引入表面活化剂Sb所产生......
根据热力学理论推导出（Ｈｇ，Ｃｄ）Ｔｅ液相外延生长过程中有效分凝系数的表达式并与实验结果进行比较，由此分析了Ｈｇ压、溶液组成、降温速度及过冷度等......
在Ａｌ_２Ｏ_３衬底上ＧａＮ的ＡＰＭＯＣＶＤ生长缪国庆，元金山，朱景义，李玉琴，洪春荣（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）含氮回一Ｖ族化合物（包括ＧａＮ、ＡＩＮ、ＩｎＮ和ＧａＡＩＮ）是直接带隙半导体材料......
本文概述了ＧａＡｌＡｓ低温液相外延技术在制作超薄外延层，包括量子阶材料中的工作；报道了在７００℃和６００℃下用液相外延技术生长的ＧａＡｌＡｓ层厚度与生长时间的关......
本文研究了n型硅阳极化的高选择和自终止工艺，并将该工艺用于形成多孔氧化硅全隔离SOI结构．采用这种FIPOS（FullIsolationbyPorousOxid......
基于能量最小近似模型，研究了应变异质结外延材料中，产生Ｆｒａｎｋ－Ｒｅａｄ源以释放失配应力所需ＧｅＳｉ合金缓冲层的厚度．对ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ进行了具体计算，其结果表明：产生Ｆｒａｎｋ－Ｒｅａｄ源时......
根据Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ本征吸收系数的经验公式及Ｈｏｕｇｅｎ模型，建立了一种用室温红外透射谱研究Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜组份均匀性的方法，用这种方法检测了ＬＰＥ、ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ薄膜的组份分布......
二氯硅烷的沸点只有8．3℃，常温下呈气体状态，用常规的方法取样和检测难度很大．我们用高温富氢还原的方法，使二氯硅烷中的磷还原为PH3，用......
在配有液Ｎ２冷却Ａｓ快门的分子束外延设备中利用迁移增强外延（ＭＥＥ）方法于低温下生长了ＧａＡｓ／Ａｌ／ＧａＡｓ结构材料。俄歇测量结果表明，用ＭＥＥ方法生长的材料中Ａｌ和ＧａＡｓ之间的......
本文采用恒温液相外延生长方法，研究了ＩｎＡｓＰＳｂ四元材料外延层表面形貌与生长温度、过冷度之间的关系．实验结果表明，生长温度、过冷度对外延晶......
采用以碳纤维为碳源的固态源MBE技术，生长了不同厚度的重接碳GaAs以及具有不同表层厚度的δ碳掺杂GaAs，通过Nomarski干涉显微镜和原......
用高能电子衍射(RHEED)研究H钝化偏角Si衬底上Si,Ge_xSi(1-x)材料的分子束外延(MBE)生长模式,发现经低温处理的H钝化Si衬底上要经......
