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设计了一种适用于SiGe BiCMOS工艺的低成本、高性能垂直结构PNP器件。基于仿真结果,比较了不同发射区和基区制作方法对器件特性的......
通过对Cu／Cu^2＋在TiW及硅中的扩散理论分析，从理论上预测了薄TiW合金阻挡层存在的潜在可靠性问题。对一个发射结结深为0．38μm的PNP管......
从基本半导体方程出发,用数值模拟方法得到了一种新型晶体管内部的电场分布,载流子浓度分布和输出特性.晶体管的有效基区宽度约为5......
Diodes推出首款采用其微型PowerD15表面贴装封装的双极型晶体三极管产品。新产品采用Diodes的第五代矩阵射极工艺，率先面世的12款NP......
介绍了几种互补双极工艺的结构和特点,详细阐述了一种基于N型外延的PN结隔离互补双极工艺;着重探讨了隔离制作技术和PNP管设计要点......
为了对薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）驱动芯片的驱动电压进行温度补偿以改善TFT-LCD的性能,本文基于标准CMOS（3.3V）的chrt35rf0.35$m......
