电流增益相关论文
为了在高频下兼顾电流增益β和击穿电压VCBO、VCEO的同步改善,从而有效提升器件的高频功率性能,利用SILVACO TCAD建立了npn型绝缘......
近日,安森美半导体宣布,进一步拓展其在业内领先的低饱和电压(Vce(sat))双极结晶体管(BJT)产品系列至WDFN6、WDFN3、SOT-23、SOT-5......
据报道,全球首座以6英寸晶圆提供砷化镓(GaAs)微波通讯芯片(MMIC)专业代工服务的台湾稳懋半导体股份有限公司,于今(15)日正式宣布......
为了获得4H-SiC横向BJT器件高耐压下的高电流增益,文中通过降低漂移区的掺杂浓度(NDRI),使得漂移区内靠近基极方向的电场强度降低,......
功率半导体器件(亦称电力电子器件)、半导体集成电路和光电器件是当前我国七个战略性新兴产业之一的“新一代信息产业”的基础和关......
由于硅材料本身的限制,传统硅电力电子器件性能已经接近其极限,碳化硅(SiC)器件的高功率、高效率、耐高温、抗辐照等优势逐渐突显,......
利用CFBR-Ⅱ快中子反应堆(中国第二座快中子脉冲堆)和60Co装置开展不同顺序的中子/γ辐照双极晶体管的实验.在集电极-发射极电压恒......
低噪声放大器的必要性,不但表现在通讯方面,而且还用它从计算机的磁性装置如磁盘存贮器和磁带中读出数据。因为在数据的读出速度......
针对多晶硅发射极晶体管实际工艺中出现的电流增益异常波动问题,首先从原理上进行了分析,其次通过与正常批次PCM数据进行对比,发现......
(上接2002年第23期)rn放大器是由晶体三极管或场效应管等具有正向受控作用的器件以及输入信号源、负载电阻、直流电源和偏置电阻等......
通过作者最近建立的关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分析和电场分布的二维解析模型定量研究了 GAT的雪崩击穿特性 ,并且......
建立了适用于缓变 Alx Ga0 .5 2 -x In0 .48P/Ga As HBT的解析模型。考虑了 Al组分 x的变化对 HBT温度特性的影响。分析结果表明 ,......
研究了砷注入多晶硅发射极晶体管的直流特性,并与采用常规平面工艺制作的晶体管性能进行了比较.结果表明多晶硅发射极晶体管具有较......
对一种结构新颖的锗硅NPN HBT器件的特性进行了研究。通过分析器件发射极窗口宽度W和长度L对器件直流和交流特性的影响,对器件在结......
期刊
设计了一种适用于SiGe BiCMOS工艺的低成本、高性能垂直结构PNP器件。基于仿真结果,比较了不同发射区和基区制作方法对器件特性的......
采用基波分析法对LCL型感应电能传输系统进行分析,研究了发射端电流增益及系统传输效率随原、副边互感的变化情况;在此基础上,针对......
介绍了一种用于放大甄别辐射探测中的一些快速小信号的电流灵敏型前置放大器的研制。该前放可以实现对幅度几十μA，脉宽10-40ns的电......
分析了互补型集成注入逻辑随机存贮器单元电路的有源寄生元件，通过更新和改进工艺，其将成为双极型电路实现大规模集成化的重要途径，对......
期刊
为提高超高速双极晶体管的电流增益,降低大电流下基区扩展效应对器件的影响,将选择离子注入集电区技术(SIC)应用于双层多晶硅发射......
首次采用多晶硅发射区RCA技术制备出微波功率晶体管.在工作频率为3.1 GHz时,该器件输出功率达到6 W,功率增益达到10 dB.与普通多晶......
设计了一种新颖的伪垂直结构PNP晶体管。在锗硅BiCMOS工艺基础上,仅增加基区和集电区两道离子注入,以低成本工艺实现了优良的性能......
在进行PNP型SiGe HBT的设计时,通过改变Ge组分而改变能带结构,而获得较高的电流增益.文章对基区中的Ge组分分布三种形式:三角形、......
提出了一种按温度比例因子设计低温双极晶体管的设计规则。在考虑双极晶体管低温效应的前提下，着重分析了双极晶体管发射区和基区的......
通过优化设计SiGe/SiHBT的纵向参数，找到一种低温工艺方法，研制出了在液氮温度下电流增益达到26000的高增益异质结晶体管。......
研制出国内第一个高频4H-SiC双极晶体管。该器件采用了双台面结构和叉指结构，室温下的最大直流电流增益（β）为3.25，集电结击穿电压BVCB......
通过使用不同冷却系统的离子注入机台(昆腾和GSD200),调整靶盘的转速等实现离子注入温度的改变,研究NPN晶体管发射极离子注入温度......
分别在不同基极掺杂浓度、集电极掺杂浓度、发射极掺杂浓度和不同Ge组分含量的情况下,运用半导体器件模拟软件—MEDICI,对SiGe HBT......
达林顿晶体管的PSpice建模优化是在室温下完成的，一些典型的NPN达林顿对的电子特征是基于芯片TIP120仿真的，比如在不同的集电极-射极......
为了计算带有发射极边减薄结构的异质结双极晶体管(EET-HBT:Emitter Edge Thinning-Heterojunction Bipolar Transistor）的电流增益......
首次碰撞时电子的能量对微通道板的增益产生影响。为了揭示它们之间的变化关系,分别测试了标准型和高性能6μm孔径的微通道板的电......
与传统硅晶体管和III-V族化合物器件相比,SiGe HBT具有低功耗、低成本、与硅基工艺兼容等特点。SiGe BiCMOS技术是将性能优异的SiG......
根据双极晶体管电流增益倒数与中子注量的线性关系,基于最小二乘法,提出了先求平均值再线性拟合、先线性拟合再求平均值的两种方法......
负反馈放大器是模拟电子学中的一个重要内容,本文提出了用量纲转换法分析负反馈放大器.对于不同类型的负反馈放大器,只需求出Av,通......
介绍了一种用于低温、小注入电流条件下工作的新型多晶硅发射区双极晶体管,并给出了晶体管电流增益的低温模型。该模型考虑了低温......
论述了影响双极晶体管电流增益ｈ_（ＦＥ）低温下降的重掺杂效应，结合具体器件测试并计算出了ｈ_（ＦＥ）的低温下降值，对实测值与计算值的差异进行了分析......
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论述了影响双极晶体管电流增益ｈＦＥ低温下降的重掺杂效应，结合具体器件测试计算出了ｈＦＥ的低温下降值，并对实测值与计算值的差异进行了分析，最......
基于宽带隙、高临界击穿电场和高热导率等优良的物理特性,碳化硅(SiC)被认为是新一代功率器件的适用材料之一,在高压、高频以及高......
为了改善器件的高压大电流处理能力,利用SILVACOTCAD建立了应变Si/SiGe HBT模型,分析了虚拟衬底设计对电流增益的影响.虚拟衬底可......
<正> 使用晶体管时经常需要测量的参数是共发射极大信号正向电流传输比(即电流增益hFE)。因此,能否用一测试电路和数字频率计来测......
在应用TL回路的原理分析跨导线性环电流放大器的基础上，以电压模电路的分析方法，推导了跨导线性环电流放大器频率特性的表达式，证实了......
<正> 常见可控电流源其控制特性多数都呈线性,而以自动负反馈控制为特征的某些电路对线性度并没有严格的要求.相反,如利用非线性电......
晶闸管的擎住电流和维持电流对于晶闸管的工作有重要的影响.利用晶闸管的导通特性,从载流子的角度推导出擎住电流的计算公式;通过......
ＭＡＸ４７１／ＭＡＸ４７２是美国ＭＡＸＩＭ公司推出的精密电流传感放大器。对它们的功能、特点及应用场合作了简单说明，并介绍了其引脚功能及工作原理，最后给出一个基于......
为了发掘不同特征频率的高频硅双极晶体管在静电放电(ESD)机器模型(MM)作用下敏感特性的相关规律,选取了12种典型的高频硅双极晶体......
