PtSi薄膜相关论文
在中波红外波段(3~5μm),PtSi/Si肖特基势垒探测器在大规模焦平面阵列中得到迅速发展,但量子效率是制约其发展的关键因素之一.降低......
该文主要研究两个方面的问题:一是采用金属离子注入形成硅化物肖特基结,对其形成的工艺条件进行了探索;二是对 pt/Ti/Si多层金属形......
促使物相尽可能地向Pt2 Si和PtSi转化 ,是PtSi薄膜工艺研究中的重要工作。文中通过用X射线衍射 (XRD)、X射线光电子能谱 (XPS)微观......
采用离子溅射方法在硅衬底上淀积Pt/Ti/Si多层结构,研究了不同退火温度(500℃和800℃)、相同退火时间(30 min)固相反应形成PtSi薄......
本文对 PtSi 红外肖特基势垒探测器中硅化铂薄层（～20nm）进行了分析,比较了不同制作条件 PtSi 薄层的化学组成以及有关元素在薄层中的......
用XRD、XPS、TEM分析手段研究了在P-Si(100)上溅射的Pt膜,经不同工艺形成PtSi薄膜的物相及连续性.通过分析硅衬底预处理以及退火条......
采用磁控溅射方法在p-Si(111)衬底上淀积5nm Pt膜,退火后形成PtSi薄膜,利用原子力显微镜和高分辨电子显微镜观察了PtSi薄膜的表面......
简要介绍了脉冲激光薄膜沉积(PLD)技术的物理原理、独具的特点,并且介绍了在PLD基础上结合分子束外延(MBE)特点发展起来的激光分子......
