肖特基二极管相关论文
二维材料物性奇特,在催化、能源储存和转换领域、微电子领域有着巨大的科学研究、工业应用以及经济价值。本论文立足于二维材料研......
氮化镓（GaN）是第三代半导体材料的典型代表,具有宽带隙、高临界击穿电场及高饱和电子漂移速率等优异特性,特别是AlGaN/GaN异质结具有......
现阶段接收链路的动态功率范围越来越大，对接收机限幅器的线性度带来挑战。要求限幅器在满足高功率的前提下，开启电平尽量高。GaN肖......
当今高功率微波技术发展迅速，电子设备所面临的威胁巨大。GaN肖特基二极管具有较小的开启电压和较高的击穿电压，特别适用于大功率整......
屏蔽栅场效应管SGT-MOSFET（Shield-gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）,作为新型功率开关MOSFET,通过在槽栅......
随着信息技术的不断发展与提高,通讯系统对工作频带要求逐渐提高,W波段等短毫米波频段拥有着巨大的频谱资源,是热门的研究课题,而......
肖特基二极管由于其独特的整流、限幅特性,在集成电路中有着广泛的应用。随着集成电路中电子元器件密度的不断提高,传统的硅基半导......
随着当今科技的飞速发展和第三代半导体的广泛应用,电力电子系统和集成电路系统对功率半导体器件的要求日益提升。4H-Si C结势垒肖......
随着微波能量传输（MPT）技术的不断发展,其应用不再局限于空间太阳能电站的研发,也逐步应用到日常的生产生活中,如具有无线充电功能的......
GaN基材料具有禁带宽度大、电子迁移率高和稳定性好等优势。基于GaN材料的高电子迁移率晶体管（HEMT）结构在微波通信和大功率应用等领......
E波段覆盖工作频段为60GHz-90GHz,其中71GHz-76GHz、81GHz-86GHz两个频段拓展了无线传输紧张的频谱资源,应用与发展前景非常广阔。......
碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料,有着宽禁带宽度、高击穿电场、高热导率等特点,是发展大功率、高频高温以及抗强辐射等技术......
随着现代微波毫米波无线通信系统的快速发展,对稳定度高、结构简单和成本较低的频率源的需求越来越迫切。在微波毫米波频段,通常通......
宽禁带氮化镓（GaN）基半导体物理特性优异,具有强击穿电场,高电子饱和速率和电子迁移率等,因此,非常适合制备功率微波电子器件,比如Al......
相比传统的金属桥丝火工品,随着半导体技术的发展而发展起来的半导体桥（Semiconductor Bridge,SCB）具有点火快、发火能量低、可靠性......
本论文研究了不同维度下纳米结构（零维、一维、二维）器件对气敏响应性能的影响,在研究工作中分别对薄膜型金属氧化物三氧化钨纳米片......
微波无线能量传输系统（MWPT）由发射端和接收端两部分组成,其接收端包括:接收天线、整流电路和阻抗匹配电路。因为能够进行远距离传输......
近年来,随着新能源汽车、轨道交通、能源互联网和国防军工等应用领域的快速发展,碳化硅（SiC）凭借着卓越的材料性能受到产业界和学术......
二维范德华层状材料具有亚纳米或纳米尺寸的厚度,超薄的厚度使得其表现出明显不同于块体材料的物理化学特性,在未来新一代电子器件......
GaN材料由于具有大的禁带宽度、高的击穿场强、以及异质结材料结构中存在的由较强自发极化和压电极化效应而产生的高面密度和高迁......
氮化镓材料相对于传统半导体材料具有高击穿场强、高电子迁移率和饱和速度,高温和辐照下高可靠性等显著优势,在电力电子和射频微波......
通过氧化一刻蚀一沸水处理的方法(BW法)将欧姆接触合金温度从800℃-1200℃降到100℃下.本文在100℃以下制备了比较接触电阻ρ=5~8......
对肖特基二极管的设计原理、制造工艺、在高温反偏试验(HTRB,high temperature reverse bias)中形成热点从而导致损坏的机理进行分......
设计了一种超宽带高斯脉冲发生器，此脉冲发生器主要元件是SRD(Step Recovery Diode).肖特基二极管，双极性晶体管和微带线。利用SRD元......
在对肖特基二极管电磁模型和电路模型精确建模的基础上, 设计并制作了W波段宽带八次谐波混频器.通过对肖特基二极管物理结构的分析......
基于电子科技大学与中国电子科技集团第十三研究所自主联合设计的肖特基二极管研制宽带360~440 GHz分谐波混频器。详细描述二极管......
简要介绍了连续太赫兹波远距离反射式成像系统及其在安全检测领域中的应用。该系统采用耿氏振荡器作为辐射源;无偏置的肖特基二极......
快恢复二极管(FRD)、超快恢复二极管(SRD)和肖特基二极管(SBD)是极有发展前途的电力、电子半导体器件。它们具有开关特性好、反向......
介绍了半导体／金属薄膜在光磁技术、光解水、电化学照相、电子及微电子工业中的应用以及发展趋势。
The application and developm......
为了发展未来的磁数据存储技术,产生局部的超快磁场是根本。迄今为止,将电流脉冲注入到微型线圈和微型带状线中[1~6],以及用高能电......
安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET器件阵容,新推出带集成肖特基二极管的30 V产品。NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及......
快恢复、超快恢复二极管是近年来的新型半导体器件,具有开关特性好。反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快......
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管,耐压达到1200V,封装的器件电流室温达到5A(正向压降2.1V)。通过在......
碳化硅(SiC)二极管已经打入迅速扩展的太阳能逆变器市场中,在欧洲尤为如此。科锐公司(Cree)的1200V SiC碳化硅肖特基二极管正在替......
设计了一种阻断电压4 500V的碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度和厚度以及终端保护......
SiC是提高功率模块中功率密度的一种理想材料,SiC功率器件具有非常低的开关损耗,热传导率很低。本文介绍了SiC混合模块(传统IGBT和......
碳化硅(SiC)单晶是一种宽禁带半导体材料,被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外,由于SiC和氮化镓的晶格失配小,SiC单......
该文报道具有最小比导通电阻的~1.7 k V 4H-SiC结势垒肖特基二极管。首先通过数值仿真对结势垒肖特基(junction barrier Schottky,......
基于数值仿真结果,采用结势垒肖特基(JBS)结构和多重场限环终端结构实现了3 300 V/50 A 4H-Si C肖特基二极管(SBD),所用4H-Si C外......
由于无线通信网络的迅速发展,无线器件的能量补给问题已成为人们研究的重要课题之一。基于光伏发电、机械振动或热力效应的能量收......
太赫兹倍频器具备高寿命、低噪声、高频率稳定度等优点,在太赫兹通信、成像、探测等领域中发挥着重要的作用。研究倍频器对推动太......
太赫兹(Terahertz,简称THz)波是指电磁波谱中频率低于可见光高于微波的一个区域。太赫兹技术与科学在近几十年来以指数趋势发展,在......
在现今主流的无线通信领域中,随着电子设备高工作频率、高集成化和小型化的发展,设备系统越来越复杂,灵敏度不断提升,为保证设备能......
