Rp缺陷相关论文
建立了一种析出模型用来模拟硼在硅中的扩散现象,描述了硼原子与离子注入引起的Rp缺陷之间的相互作用,解释了非活性硼峰形成的原因......
根据一维动力学方程,提出了RP缺陷的演化模型,用于描述离子注入后硼杂质分布在退火过程中出现异常变化的物理现象.通过分析发现缺......
建立了一种析出模型用来模拟硼在硅中的扩散现象,描述了硼原子与离子注入引起的R.缺陷之间的相互作用,解释了非活性硼峰形成的原因......
根据一维动力学方程，提出了Rp缺陷的演化模型，用于描述离子注入后硼杂质分布在退火过程中出现异常变化的物理现象．通过分析发现缺陷随......
随着集成电路集成度的提高,其横向和纵向尺寸不断减小。对于采用深亚微米工艺的下一代集成电路,其纵向结深应小于0.1微米,这要求进......
