用ＳＡＣＰ技术研究ＥＬＩＤ磨削后的单晶硅片表面变质层＊刘世民１，２于栋利２田永君２何巨龙２李东春２陈世镇２（１．秦皇岛玻璃研究设计院，秦皇岛０６６００４）（２．燕山大学，秦皇岛０６６００４）单晶硅片......

<正> 各类半导体器件的性能几乎都与界面状态有关,研制高性能的红外探测元件首要的就是如何获得表面无污染、无损伤、结构完整的优......