通过对磁控溅射条件的优化，制备出了较理想的SmCo（Al，Si）／Cr硬盘磁记录介质。退火处理后又得到较好的硬磁薄膜。结果指出，在Sm含量（摩尔分......

通过对磁控溅射条件的优化，制备出了较理想的SmCo（Al，Si）／Cr硬盘磁记录介质。退火处理后又得到较好的硬磁薄膜。结果指出，在Sm含量（摩尔分......

在优化后的磁控溅射和退火条件下，制备SmCo(Al,Si)/Cr硬盘磁记录介质及硬磁薄膜.实验结果表明，Sm摩尔分数为31.6 ％，Cr缓冲层为66 nm，Sm(......