SiGe量子点相关论文
脉冲激光在SiGe合金样品表面可以形成量子点结构。样品退火处理后,在720～800 nm光谱区域内存在一些受激发射峰,并且这些受激发射峰......
提出了一种用于半导体闪速存储器单元的新的Si／SiGe量子点／隧穿氧化层／多晶硅栅多层结构，该结构可以实现增强F-N隧穿的编程和擦除机制．......
