【摘 要】
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提出了一种用于半导体闪速存储器单元的新的Si／SiGe量子点／隧穿氧化层／多晶硅栅多层结构，该结构可以实现增强F-N隧穿的编程和擦除机制．模拟结果表明该结构具有高速和高可靠性的优
【机 构】
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清华大学微电子学研究所,无锡微电子研究所
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（批准号：69836020）
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提出了一种用于半导体闪速存储器单元的新的Si／SiGe量子点／隧穿氧化层／多晶硅栅多层结构，该结构可以实现增强F-N隧穿的编程和擦除机制．模拟结果表明该结构具有高速和高可靠性的优点．测试结果表明该结构的工作电压比传统NAND结构的存储器单元降低了4V．采用该结构能够实现高速、低功耗和高可靠性的半导体闪速存储器．
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