陷阱态相关论文
对非晶硅薄膜晶体管,提出基于陷落电荷和自由电荷分析的新方法。考虑到带隙中指数分布的深能态和带尾态,给出了基于阈值电压的开启......
期刊
经激光辐照和高温退火后能够在硅基上生成氧化多孔硅结构。用514 nm的激光泵浦,观测到该多孔硅的受激辐射。当激励强度超过阈值时,......
纳晶硅氧化以后的PL发光带中心明显地钉扎在690nm～750nm波长之间，发光强度有显著的增加。我们通过研究纳晶硅氧化后化学键结构的改变......
研究了TiCl4处理对纳米结构SrTiO3薄膜电极及染料敏化太阳能电池的影响。与未处理SrTiO3电极相比,TiCl4处理后的电极能够吸附更多......
用514nm激光抽运纳晶硅样品时，我们观测到表面上氧化结构在692nm和694nm处的尖锐受激发光，其明显的阈值行为证明了它的受激辐射特性......
应用HP4192A低频阻抗分析仪测量了低压ZnO压敏陶瓷的复电容曲线,研究了烧结温度对复电容曲线压低角的影响规律,探讨了晶粒边界耗尽......
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光折变材料在光信息处理和数据存储等方面具有广阔的应用前景,引起人们极大的兴趣;有机聚合物光折变材料成为当今光折变材料研究的......
GaN基HEMT器件具有耐高压、耐高温以及抗辐射等特点,在功率器件领域应用广泛。尽管目前AlGaN/GaN HEMT器件的性能指标已达到较高水......
学位
考虑到有机薄膜晶体管（OTFT）带隙中存在指数分布的陷阱态密度,提出了基于表面势的电流解析模型.在模型建立过程中,使用薄层电荷近似......
针对非对称双栅结构的非晶硅薄膜晶体管,根据高斯定理建立了表面势与背电势随栅压变化的隐含关联方程组,通过求解一维泊松方程推导......
期刊
为了在获得高击穿电压的同时实现增强型器件,对AlGaN/GaN/AlGaN双异质结HEMT进行了栅槽刻蚀,得到阈值电压为0.6 V的增强型HEMT。对......
期刊
GaN材料由于具有禁带宽度大、击穿电场强、饱和电子漂移速度大及化学性质稳定等特点,在高温、高压、微波、大功率器件领域具有广阔......
随着社会经济的发展和生活水平的提高,人们在追求更加舒适的生活环境的同时,也在消耗着越来越多的能源。随着世界范围内能源供应紧......
导纳谱法是在不同边界条件下,根据空间电荷限制电流理论,推导并建立的描述有机半导体传输机制的理论模型。本文用导纳谱法来研究结......
