Si(111)表面相关论文
由于碳化硅薄膜具有很多优良的物理、化学性质和广泛的应用前景，对其生长机制和制备方法的研究一直是物理学和材料学领域的重要内容......
随着半导体工艺集成度的不断提高及微纳米技术的发展,半导体硅材料的湿法腐蚀及腐蚀后硅表面的平整度及洁净度对半导体器件的影响......
利用扫描隧道显微技术(STM)和X-射线光电子能谱(XPS)技术,研究了Si (111)在几种不同比例的NH4F-HCl溶液中被腐蚀后的表面形态及洁......
采用DFTB ＋计算方法对在S （111）表面上三种不同形状的G e量子点结构（六边形岛 状量子点、条形岛状量子点以及光栅形量子点）进行结构优化......
利用扫描隧道显微镜(STM),研究了Si(111)表面的2×2、c2×4、9×9和11×11等各种亚稳态结构.与已经发表的研究结......
To study the adsorption behavior of Cu+ in aqueous solution on semiconductor surface, the interactions of Cu+ and hydrat......
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利用Tersoff半经验多体相互作用势和分子动力学模拟方法研究了荷能的硅原子在Si（111）表面的吸附过程．对100K时，初始入射动能分别为5，15，2......
