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SiSiC异质结相关论文
基于Si/SiC的IGBT新结构研究与设计
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)器件具有大电流、高功率、易驱动的特点,广泛应用于高压输电、交通运输、家用电器、军事设......
学位
Si/SiC异质结
导通压降(V<sub>on</sub>)
关断损耗(E<sub>off</sub>)
IGB
具有异质结新型LDMOS功率器件设计及关键技术
功率半导体器件是功率集成电路的核心器件,起到了电能转换和电路控制的关键作用,因此它不仅是影响芯片性能制造成本的重要因素,还......
学位
横向功率器件
LDMOS
Si/SiC异质结
击穿电压
比导通电阻
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