SiC功率MOSFET相关论文
随着电力电子产业的不断发展,现代功率电子设备被扩展到了更高压更高频更高效的工业应用中。而宽禁带半导体材料的特性使SiC MOSFE......
报道了在150μm厚、掺杂浓度5.0×1014 cm-3的外延层上制备15 kV/10A超高压SiC功率MOSFET器件的研究结果.对器件原胞结构开展了仿......
提出一种基于MATLAB/Simulink的SiC功率MOSFET全工作区变温度参数建模方法.在Si基横向双扩散MOSFET模型的基础上,采用与温度相关的......
常温下开关电源的功率器件主要是基于硅(Si)材料,而其工作结温度的上限值一般为125℃。由于开关电源在工作中会产生大量热量,需要......
随着当今科技的日渐发展,碳化硅功率器件备受人们的关注。以SiC功率MOSFET为例,其低导通电阻、耐高温和高开关频率等特性使之深受......
学位
SiC作为一种宽禁带的半导体材料,具有击穿电场强度高、电子饱和漂移速度高、热导率高等优点,因而使SiC功率MOSFET拥有高耐压、快开......
学位
碳化硅（SiC）基功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）具有击穿电压高、导通电流大、开关速度快、功率损耗小、高温稳定性好等优......
碳化硅功率MOSFET由于同时具有宽禁带器件耐高温、耐高压的特性,和功率MOSFET驱动损耗小,开关时间短的优点,可以保证良好的工作特......
学位
碳化硅(Silicon Carbide,SiC)因其具有宽禁带、高击穿电场、高热导率和高载流子饱和速率等优点,已成为第三代功率半导体材料的典型......
学位
目前全世界光伏发电产业发展迅速,产生的电能需要通过完善的并网系统才能接入电网使用。在这个并网系统中,升压DC-DC和逆变是两个......
