阻断电压相关论文
在此通过计算机仿真方法对影响特大功率晶闸管阻断电压的结终端技术进行仿真分析,并对仿真结论进行试验验证,证实了具有双负斜角结......
作为能量变换和传输的重要器件,大功率晶闸管在诸如高压直流输电等领域得到广泛应用.随着电网对输电功率容量的要求越来越高,提高......
本文从碳化硅半导体材料特性,碳化硅功率器件工艺和特性以及国内发展情况几个方面介绍碳化硅功率器件的研究现状和发展前景.......
用12MeV电子束对普通高压晶闸管、快速晶闸管、双向晶闸管进行辐照，测试这几种器件的主要电学参数。实验发现12MeV电子辐照能明显改......
设计了一种阻断电压4 500V的碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度和厚度以及终端保护......
以色列VisIC Technologies Ltd of Rehovot公司成立于2010年,是一家无生产线的功率转换器件研发机构,主要技术支撑是氮化镓金属绝......
分析了传统晶闸管结终端造型技术的优缺点。基于双负角结终端造型技术,通过径向变掺杂技术和类台面造型技术改进,发展了一种全新的......
该文报道具有最小比导通电阻的~1.7 k V 4H-SiC结势垒肖特基二极管。首先通过数值仿真对结势垒肖特基(junction barrier Schottky,......
Cree下属的科技公司Wolfspeed近期宣布,他们已经成功研发出行业内首款1700V碳化硅MOSFET,新产品采用优化后的表面贴装封装技术,能......
日本三菱电子公司研发出碳化硅(SiC)MOSFET新结构,在因短路而出现过流时,不再需要高速保护电路来阻断电压,更好满足高能效、小尺寸......
1999年 8月～ 2 0 0 2年 3月我们对 65例不同类型癫患儿予妥泰单药治疗 ,观察其疗效和耐受性 ,现报告如下。对象和方法一、病例选......
分析了影响电力静电感应晶闸管阻断电压BVAK的因素,提出了提高BVAK的方法,并构造了几种阳极结构.在实验了3种结构的基础上,给出一......
本文针对PIN型整流管模型，全面优化了整流管设计制造过程，成功研制了世界上先进的ZP6000A/8500V特高压整流管。......
基于近20年的研发,宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)的金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFETs)的制备工艺逐步成熟,性能不断提高,已......
众所周知，IGBT器件以其输入阻值高、开关速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大等特点，已成为当今功率半导体器件发展的主流器......
科锐公司日前宣布推出全新系列封装型二极管,在现有碳化硅肖特基二极管技术条件下,该系列二极管可提供业界最高的阻断电压。科锐1,......
在表面栅和埋栅结构的基础上，提出了一种制造静电感应晶体管的新型结构，平面型埋栅结构，用普通的平面工艺实现了具有高击穿电压的埋栅......
作为宽禁带半导体材料的代表,碳化硅具有禁带宽度大(Eg>2.3eV)、临界击穿电场高、载流子饱和速度大以及热导率高等优良特性,特别适......
由于SiC材料的理想特性使SiC门极可关断晶闸管(GTO)的发展受到广泛关注。SiC GTO是一种用于控制大电流的高功率开关器件,具有开关......
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<正> 早在1951年,Lack-Horowitz就提出核反应可作为半导体材料硅的一种掺杂方法。六十年代初期,Tanenbaum等人进行了实验,指出中子......
本文介绍温度控制晶闸管的原理、特性并较详细地介绍其应用。温控晶闸管研制的成功解决了温度传感器温控时所带来的许多棘手问题。......
近年来,基于宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)的高压功率器件迅速发展。在SiC高压功率器件中,门极可关断晶闸管(GTO)具有高阻断电压、......
<正>理论和十余年的研发实践都已证明,碳化硅、氮化镓和金刚石等宽禁带半导体比硅更适合用来制造电力电子器件。随着材料与器件工......
静电感应晶闸管(SITH)是一种大功率开关器件。与其他种类的功率开关器件相比,具有开关速度快,易于实现栅控关断等优点。但在实际应......
高压大电流MOS场控晶闸管(MCT)在一些大型专用军事设备中起着难以替代的作用,进一步改善MCT的输出特性对提高我国战略武器和常规武......
