器件模型相关论文
氮化镓（GaN）器件是第三代功率半导体的重要代表,GaN功率器件相比与传统硅（Si）器件有更强的耐压能力,相同耐压下导通电阻极低,损耗小,其......
随着无线通信技术的发展,雷达技术被广泛地应用于目标识别、定位探测及医疗健康监测等领域。T/R（Transmitter and Receiver,T/R）组件......
近年来,非晶半导体薄膜晶体管（thin-film transistor,TFT）由于具有良好的机械柔韧性、与任意基板的兼容性、低成本和低温下大面积可......
提出了一种基于石墨烯纳米条带阵列的光电探测器(GNR-PD)结构, 讨论了器件的解析模型。基于二维泊松方程, 在弱非局域近似条件下建......
简介 集成电路(Ic)的静电放电(ESD)强固性可藉多种测试来区分。最普遍的测试类型是人体模型(HBM)和充电器件模型(CDM)。这......
在普通850nm垂直腔面发射激光器基础上制备出带有金属纳米颗粒结构的微小孔径垂直腔面发射激光器。当小孔和金属颗粒的直径分别为4......
结合了“栅极工程”和“应变工程”二者的优点,异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET,通过沿沟道方向使用不同功函数的多晶SiGe材料,在应变......
针对传统建模方法较复杂的问题,提出一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)行为建模的方法。用一组简单方程描述了......
近年来,由于其轻薄的特性,可携带性,良好的机械与电子性能,柔性电子的研究取得了广泛的关注。对于这些集成于柔性衬底上的电子器件......
集成电路的器件模型在集成电路工业中扮演着极其重要的角色。模型参数提取又是器件建模中极为关键的一个必须的步骤。集成电路发明......
介绍了ＳｉＣ材料的生长及器件制备技术，分析了目前ＳｉＣ器件及集成电路等方面的研究现状，并讨论了存在的各种问题．
The growth of SiC material......
在文献［１］的积分型光子“晶体管”的模型研究的基础上，利用螺塞喃光致色变材料进行了积分型“光子四端管”的模型实验研究，并对其应用器......
负电子亲和势(NEA)光电阴极,由于其优异的性能,受到各个国家广泛的关注,并投入大量的人力、物力进行了多年的研究.中国开展相关研......
由于高压器件有很多区别于标准MOS器件的特点，BSIM3模型用于VLSI中高压轻掺杂漏MOS器件(HVLDMOS)的模型存在不足。本论文主旨是对VL......
该文围绕团簇与纳电子原型器件特性的计算机模拟这一主题,选取该主题下的若干重要问题进行了研究探索.第一章概述了团簇科学的研究......
随着电力电子技术的迅速发展和推广应用,利用计算机仿真对电力电子电路进行分析和研究得到了日益广泛的重视。尽管目前一些仿真软......
本文系统研究了4氢碳化硅（4H-SiC）材料的物理性质，分析计算了4H-SiC宽禁带半导体材料的禁带宽度Eg和载流子迁移率μ等材料参数，并依据......
在可控串联电容补偿装置(TCSC)的研究中,用电容、电感、晶闸管、MOV等元件构造TCSC器件模型.选择合适的步长、触发控制方法和暂态......
从数值解源端和饱和点的表面电势出发 ,考虑模拟电路对 SOI MOSFET模型的一些基本要求如电荷守恒、器件源漏本征对称、各个工作区......
期刊
研究了超薄栅氧 MOS器件的直接隧穿 (direct tunneling,DT)电流模型问题 .利用修正的 WKB近似方法(m odified WKB,MWKB)得到电子隧......
完成了对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的结构设计及器件物理特性的验证等工作.使用TCAD软件完成了该器件直流特性及微波特性......
提出了一种基于保角映射方法的14nm鳍式场效应晶体管(FinFET)器件栅围寄生电容建模的方法。对FinFET器件按三维几何结构划分寄生电......
<正>随着移动通信技术的发展,LTE等准4G移动通信网络已经大规模部署,以LTE-A为代表4G标准已开始投入商用,下一代的5G通信标准也已......
提出了一种Windows XP平台下模拟集成电路仿真软件的开发方法,利用Visual C++软件开发工具开发了仿真软件功能,采用C编译器CYGWIN......
微波单片集成电路和射频集成电路频率和集成度的提高使设计复杂化,对计算机辅助设计的依赖性更强,元器件行为的精确描述和仿真器的......
研究了界面态对4H-SiC MESFET的肖特基栅接触的影响.栅接触工艺主要采用Ti/Pt/Au蒸发,经过剥离后形成.基于热电子理论提出了一种参......
在带有应变SiGe沟道的SOIMOSFET结构中 ,把栅和衬底相连构成了新型的混合模式晶体管 (SiGeSOIBMHMT) .在SIVACO软件的器件数值模拟......
本文从设计一种LTCC结构的3dB／900电桥出发，简述了其设计方法，并介绍了在Ansoft HFSS软件中设计好的且通过LTCC工艺制作已达到合格指......
在研究器件建模和粒子群优化算法的基础上,提出了基于粒子群优化算法的器件模型表面势求解,从而建立整套模型参数。在粒子群优化算......
介绍了X波段功率单片放大器的设计、制造、测试等技术,以及器件的大信号模型的建立.X波段功率单片放大器采用两级放大,经过功率分......
根据电化学表面基模型理论,提出了一种简单有效的能够描述离子敏场效应晶体管(ISFET)静态特性的仿真模型,借助此模型,对器件的电学......
完全用CMOS工艺实现离子敏场效应型晶体管(ISFET)成为可能,这种ISFET的栅极结构是由绝缘体、多晶硅、金属层叠起来,称之为多层栅结......
利用对称薄膜双栅MOSFET在阈值电压附近硅膜中的常电位近似,以硅膜达到体反型时的泊松方程为基础,得到一个有效的双栅nMOS器件模型......
为了得到了简单、准确的输出电流特性模型,依据传统的MOSFET电流模型的建模的方法,通过基于费米势的电流密度分析,考虑某些方程在......
本文主要描述一下两钟对M O S管特性有影响的边界效应。同时,本文也将描述目前通用的对这两种效应的估算方式和在器件模型中的表现......
基于共振隧穿二极管（RTD）的电流．电压方程，结合对肖特基栅型共振隧穿三极管（SGRTT）物理机制的分析和计算，推导出了SGRTT器件的器件模型。......
本文主要概述了碲镉汞光伏探测器及其电流机构:扩散电流、产生复合电流、直接隧道电流、间接隧道电流、表面漏电流以及光电流等.然......
器件模型的开发往往受制于软件开发商提供的建模手段,友好的建模流程会大大提高开发效率。该文介绍了轻量级模型参数提取优化工具......
提出一种全新的基于载流子求解的双栅MOSFET解析模型.针对无掺杂对称双栅MOSFET结构,该模型由求解泊松方程的载流子分布和Pao-Sah......
研究了界面态对4H-SiC MESFET的肖特基栅接触的影响．栅接触工艺主要采用Ti／Pt／Au蒸发，经过剥离后形成．基于热电子理论提出了一种参数提......
本文介绍了使用Verilog语言如何在Cadence设计环境中建立器件仿真模型,主要说明了整个建模的流程和使用Verilog语言作仿真时的一些......
随着半导体器件特征尺寸的缩小，半导体器件模型也变得越来越复杂，模型参数个数急骤增加，目标函数自变量空间的维数也变得越来越大，传统......
随着集成电路生产工艺的进展,互连线在集成电路设计中的影响越来越大.为了减小互连线的影响,通常在芯片互连中插入缓冲器,但这样做......
潜油电泵因其扬程高、排量大、采油效率高等诸多优点被广泛应用于石油开采领域。与之配套使用的井下信息采集装置对优化采油工艺、......
GaN HEMT器件以其高频大功率等特点成为下一代微波功率器件的绝佳选择,在军事和民用领域均得到了广泛的应用,目前,毫米波频段GaN基......
