Si基底相关论文
自1999年Zwilling等人报道了用简单的电化学阳极氧化法制备TiO_2纳米管以来,TiO_2的纳米管结构逐渐引起了各领域科研人员的极大关......
本论文采用间歇式P-CVD法,H2/CH4气氛。以直径20mm的Si基底在上直径40mm的Mo基底在下的叠放方式,同时研究了温度对二者合成金刚石......
Nd:YAG脉冲激光扫描照射单晶Si基底表面AgNO3薄膜, 薄膜热分解产生的Ag沉积在 Si基底表面形成沉积线. 在激光功率为2.8 W, 频率为3......
利用自组装方法将DNA分子吸附于Si基底表面,并通过原子力显微镜（AFM）观察不同质量浓度的DNA溶液在Si基底表面进行自组装后的结构：当DN......
利用化学池沉积法在化学镀镍的n-Si基底上沉积MoS2薄膜.结果显示,MoS2膜的最佳合成条件为：钼酸铵浓度为10-4 mlo/L,退火温度为850℃......
