本文简述了中子辐照对ＩＧＢＴ特性的影响，给出了器件在中子辐射注量高达１０＾１３ｎ／ｃｍ＾２时的实验结果。实现发现，随着中子注量的增加，开关时间缩短，阈值电压漂......