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T_cNb_3Ge相关论文
用CVD法合成高T_cNb_3Ge实用超导体的基体温度理论研究
Nb_3Ge的临界温度Tc最高(23.2K),它具有三高(高Tc、Jc、Hc_2)一低(低损耗)的优良特性。广为世界各国探索高临界温度超导工作者的......
期刊
基体温度
CVD法
T_cNb_3Ge
化学气相沉积
中心课题
化学热力学
热力学数据
最佳温度
沉积过程
导热系数
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