采用PECVD方法刚淀积出的TiSi_x薄膜,x在0.9～2之间,电阻率大于100μΩ·cm;经650℃以上的高温退火,x变为2,电阻率降至20μΩ&#1......

本文报道了用PECVD法制备硅化钛膜,经750℃、30min退火后,最低电阻率达23.8μΩ·cm。经AES分析表明,退火后硅和钛的组分比为2......