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中高温GaN插入层厚度对蓝光LED光电性能的影响
利用金属有机气相化学沉积(MOCVD)技术在蓝宝石图形衬底上生长GaN基蓝光LED,并系统研究了不同中高温GaN插入层厚度对其光电性能的......
期刊
GaN
LED
V-pits
hole injection efficiency
阱区结构对硅衬底GaN基LED器件光电性能影响的研究
硅衬底GaN基LED因具有制造成本低、封装工艺简单、器件可靠性高等优点,一直吸引着广大学者的研究热情。从2004年第一支实用水平蓝......
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