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在V_g=V_d/ 2应力模式下 2.5nm氧化层pMOSFETs的新寿命预测模型(英文)
研究了 2 .5 nm超薄栅短沟 p MOSFETs在 Vg=Vd/ 2应力模式下的热载流子退化机制及寿命预测模型 .栅电流由四部分组成 :直接隧穿电......
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热载流子
电子注入
空穴注入
寿命预测模型
V_g=V_d
二次碰撞
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氧化层
drain
碰撞电离
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