研究了 2 .5 nm超薄栅短沟 p MOSFETs在 Vg=Vd/ 2应力模式下的热载流子退化机制及寿命预测模型 .栅电流由四部分组成 :直接隧穿电......

对比研究了国内外五种不同型号的PMOSFETs,在不同剂量率、不同偏置条件下的辐照响应特性;并对高剂量率辐照后的器件进行了与低剂量......

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该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......

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对90nm pMOSFETs在不同温度及栅压应力下的NBTI效应进行了研究,从而提出了90nm pMOSFETs NBTI退化对时间t、温度T及栅压应力Vg的模......

CMOS器件尺寸越来越小，栅介质厚度持续减小，负偏压温度不稳定性（NBTI）成为制约器件可靠性及寿命的最主要因素之一。然而，NBTI机理一直处......