氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)在蓝光波段已取得巨大成功,但其在绿、黄光等较长波段的发光效率仍然较低。由位错诱导产生的V 坑可......

利用高性能阴极荧光(CL)联合分析系统结合场发射扫描电镜对使用MOCVD方法在蓝宝石衬底上实现的不同生长温度条件下InGaN/GaN薄膜材......

基于含有V坑结构的Si(111)衬底InGaN/GaN绿光LED,我们在传统p-AlGaN电子阻挡层之后优化生长一层25 nm的低掺镁p-AlGaN插入层,并获......

多基色合成白光LED具有不需要荧光粉,发光效率较高,显色性好、寿命长等优点,这种白光照明方式是未来高品质全光谱LED发展方向。然......

采用实验与理论模拟相结合的方法,研究了氮化镓基绿光发光二极管（LED）中V坑对空穴电流分布的影响。首先,实验获得了V坑面积占比不同......