绿光LED相关论文
GaN基发光二极管应用领域非常广泛,如照明、背光、显示屏等。目前GaN基蓝光LED的工艺技术相当成熟,电光转换效率达到70%以上,但绿......
报道了用LP MOVPE技术在蓝宝石 (α Al2 O3)衬底上生长出以双掺Zn和Si的InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结结构 ,并研......
日本目前,日本是全球最大的LED灯泡市场,市占率高达63%。日本在GaN蓝、绿光LED等领域突破了一批产业关键和共性技术,并在世界范围......
纳米柱结构是释放高In组分InGaN/GaN绿光LED量子阱层应变的有效方法。本文采用自组装的聚苯乙烯微球掩模、感应耦合等离子体干法刻......
在Si衬底上外延生长了3种不同量子垒结构的绿光外延片并制作成垂直结构芯片,3种量子垒结构分别为Ga N、In0.05Ga0.95N/Al0.1Ga0.9N......
基于含有V坑结构的Si(111)衬底InGaN/GaN绿光LED,我们在传统p-AlGaN电子阻挡层之后优化生长一层25 nm的低掺镁p-AlGaN插入层,并获......
报道用自行研制的LP-MOVPE设备，在蓝宝石（α-Al2O3）衬底上生长出以InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结结构以及InGaN/GaN......
高亮度发光二极管（HB—LED）芯片制造是介于外延片生产和芯片封装的中间过程，通过光刻、等离子刻蚀（ICP）、掩模（PECVD）、电子束真空蒸发镀......
采用金属有机物气相外延（MOVPE）方法，生长出InGaN/G aN单量子阱结构的绿光发光 二极管（LED）。测量了其电致发光光谱及发光强度与注入电......
GaN基LED因具有亮度高、寿命长、节能环保、耐潮、耐震等优点被广泛应用于高品质显示、照明等领域中,为全球节能环保事业做出了重......
多基色合成白光LED具有不需要荧光粉,发光效率较高,显色性好、寿命长等优点,这种白光照明方式是未来高品质全光谱LED发展方向。然......
发光二极管（LED）是指半导体PN结通以正向电流时能发光的半导体器件。早在1922年，有人就发现了碳化硅（SiC）的PN结发光现象。1968年，美国孟......
利用MOCVD技术在图形化Si(111)衬底上生长了InGaN/GaN绿光LED外延材料。在GaN量子垒的生长过程中,保持NH3流量不变,通过调节三乙基......
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对本实验室在Si(111)衬底上MOCVD法生长的芯片尺寸为400μm×600μm功率型绿光LED的光电性能进行研究。带有银反射镜的LED在20 mA......
设计了一种具有自屏蔽量子限制斯塔克效应(QCSE)的绿光LED。该器件主要是用沿极性面[0001]方向生长的InN组分渐变量子垒来替代传统......
中微半导体设备(上海)股份有限公司(以下简称“中微公司”),日前宣布推出Prismo HiT3^TM MOCVD设备,主要用于深紫外LED量产。中微P......
InGaN系绿光LED的量子阱结构具有较高的In含量,InN与GaN之间较大的晶格失配度使得绿光器件的量子限制Stark效应更显著。对内建电场......
在Si(111)衬底上利用MOCVD方法生长了具有不同Al组分p-AlGaN电子阻挡层的绿光InGaN/GaN LED结构,并对其光电性能进行了研究.结果表......
基于Hankel波理论分析了非相干光源产生高阶Bessel光束的自再现的可能性,利用交叉谱密度公式模拟了非相干绿光LED光源产生的一阶Be......
期刊
GaN基绿光LED在全彩显示和固态照明领域有着重要的应用前景,由于其量子阱内较高的In组份,使其材料中存在比蓝光LED更大的应力和极......
从90年代氮化镓(Gallium Nitride，GaN)材料出现以来，InGaN/GaN量子阱蓝绿光发光二极管(Light Emitting Diodes，LED)技术得到了很大的......
GaN基LED凭借其可控的全色光谱能隙以及优良的物理化学性能,在各种照明、背光等领域有着广泛的应用前景,已逐步成为新一代绿色照明......
采用实验与理论模拟相结合的方法,研究了氮化镓基绿光发光二极管（LED）中V坑对空穴电流分布的影响。首先,实验获得了V坑面积占比不同......
为了改善Si基LED的电流扩展问题以及降低其工作电压,阐述了一种工艺简单新型垂直结构的Si基GaN绿光LED(V-LED)。利用ICP在芯片上刻......
采用金属有机物气相外延方法 ,研制了 In Ga N/Ga N单量子阱结构的绿光发光二极管 .测量了其电致发光光谱 ,及发光强度与注入电流......
报道了用 LP- MOVPE技术在蓝宝石 ( α- Al2 O3)衬底上生长出以双掺 Zn和 Si的 In Ga N为有源区的绿光 In Ga N/Al Ga N双异质结结......
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