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V族元素掺杂相关论文
铜铟铝硒薄膜的制备及其性质研究
黄铜矿结构的铜铟铝硒(Cu(In,Al)Se2,CIAS)薄膜材料具有光吸收能力强(>105 cm-1)、无光致衰减效应、禁带宽度在1.04 eV(CuInSe2,CI......
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在过去的50年中,碲镉汞(Hg1xCdxTe)材料作为中远波段(3~30μm)红外探测的最重要的半导体材料之一,在红外焦平面列阵的研发和制造中得到了......
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碲镉汞
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