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本文以CdS和ZnS粉末作为前驱物,采用化学气相沉积(CVD)法在1100条件下,以金膜为催化剂在硅衬底上一步合成了Zn1-XCdXS三元纳米线.......

采用低压金属有机化学气相沉积(LP MOCVD)技术,在普通石英衬底上制备出不同Cd组分(0.02,0.44,0.59,0.83,0.91)的Zn1-xCdxS合金薄膜......

采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在普通石英衬底上制备出不同Cd组分(0.02,0.44,0.59,0.83,0.91)的Zn1-xCdxS合金薄膜......

本文以CdS和ZnS粉末作为前驱物，采用化学气相沉积（CVD）法在1100℃条件下，以金膜为催化剂在硅衬底上一步合成TZn1-xCdxs三元纳米线．扫描......

本文采用高温固相反应法制备了Zn1-xCdxS：Cu黄色电致发光材料。研究了Cd含量对电致发光亮度、发光光谱、光生电子瞬态过程和热释光......

掺入一些杂质元素到半导体量子点中,可以使其获得特殊的物理性质,例如斯托克斯位移增大、化学稳定性和热稳定性提高等。相对块体半......

ZnS是一种宽禁带化合物半导体材料，具有闪锌矿和纤锌矿两种不同的结构，禁带宽度为3.68 eV。单纯ZnS材料自身存在一些不足，不利于它在......