三元混晶相关论文
GaAs因具有电子迁移率高、抗辐射能力强、耐热等优点在制作高频高速光电器件、微波器件及光电集成等领域有着广泛的用途。为挖掘和......
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本文计入纤锌矿材料中强内建电场的影响，利用有限差分法和密度矩阵原理研究了纤锌矿GaN/InxGa1-xN/GaN球形核壳量子点中子带间和带......
三元混晶具有许多二元晶体所没有的独特的物理性质，例如其禁带宽度和光学声子频率可以通过改变组分来人为控制，从而被广泛地应用于许......
本文采用介电连续模型和改进的无规元素等位移模型研究了球形核壳量子点中光学声子模的三元混晶效应。首先，我们对含三元混晶的核壳......
三元混晶AxB1-xC材料拥有许多二元晶体所不具备的独特结构和物理特性，可以通过改变混晶组分的浓度来实现人为控制材料的物理参数，比......
采用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,运用电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究了薄膜厚度对由极性三元混晶组成的双层薄......
基于混晶模型和极化子微扰理论，研究了弱藕合下三元混品AxB1-xC材料的极化子能级问题，推导了极化子能级表达式，给出了其随组分x变化的......
导出了三元混晶中电子-空穴对有效相互作用势(哈肯势)，研究了混晶效应对激子结合能的影响.讨论了三元混晶中激子的性质.计及激子与......
采用改进的无规元素孤立位移模型和波恩-黄近似,运用电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究极性三元混晶膜中的表面声子极化激元，以A......
为更加深入地了解混晶效应对半导体材料性质的影响,采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,研究了闪锌矿结构三元混......
由于其独特的物理性质以及在异质结、量子阱、超晶格、量子线、量子点等半导体低维系统中的广泛应用，极性半导体三元混晶成为了制造......
本文在连续介电模型下,利用转移矩阵法细致探讨了三元混晶多层半导体材料中各种光学声子的色散关系及其与电子相互作用的哈密顿量.......
使用简化相干势近似(SCPA)计算了Ⅲ-Ⅴ族三元混晶InGaN的禁带宽度.结果表明,该方法与实验数据吻合较好,可用于Ⅲ-Ⅴ族含氮三元混晶......
采用无序元素孤立位移模型(REI mode),建立了三元混晶AB1-xCx晶格动力学的Born-Huang方程,并由此出发讨论了几种三元混晶晶格振动......
离子晶体（或极性晶体）的长波横光学振动能与光波耦合为一种复合的元激发，这种元激发称为电磁耦[合波]子。本文以电磁波与晶体相互作用......
半导体低维纳米材料在人造光电和电子器件方面有着广泛的应用,而表面和界面声子极化激元对了解半导体低维系统的光学性质起着很重......
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ZnS是一种宽禁带化合物半导体材料，具有闪锌矿和纤锌矿两种不同的结构，禁带宽度为3.68 eV。单纯ZnS材料自身存在一些不足，不利于它在......
