本文采用脉冲激光沉积(PLD)技术,以308nm的XeCl准分子激光作为激发源,以单晶S(i001)为基片,在氧的活性气氛中通过激光烧蚀Zn_(1-x)......

采用脉冲激光沉积法（PLD）在Si02衬底上成功制备了具有C轴择优生长特性的Zn1-xCoxO（x=0．05、0．1、0．2、0．3）系列薄膜。通过X射线衍射和能谱......

利用电子束反应蒸发法（REBE）在Si和石英玻璃衬底上生长Zn1-xCoxO晶体薄膜，衬底温度分别为250、350和500℃。对晶体的微结构特性进行研......

采用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上制备了Zn1-xCoxO（x=0,0.01,0.03,0.05,0.08,0.12）薄膜.利用显微镜和X射线衍射（XRD）研究了ZnO：Co薄膜的......

以载流子电荷的运输为基础的半导体工业掀起了第三次技术革命，极大地推动了社会的发展和科技的进步。而今电子器件的运行速度和存储......