脉冲激光沉积(PLD)相关论文
利用脉冲激光沉积技术制备了高质量的PtSi/Si纳米薄膜.采用X射线光电子能谱、原子力显微镜及高分辨电子显微镜等现代材料分析方法,......
会议
利用飞秒脉冲激光沉积（PLD）法在Si（100）基片上制备大面积均匀的ZnO薄膜，通过激光束、靶材及衬底的运动使得所制备的薄膜均匀性面积大小......
二氧化钒（VO2）是一种典型的具有热致相变性质的金属氧化物。在68°C时发生从高温金属相到低温绝缘体相的可逆相转变,在相变过程中伴......
ZnO的能带工程和p型掺杂是当前ZnO研究的两大热点和难点。通过等价阳离子部分取代Zn形成ZnMeO (Me=Mg、Be等)合金来调控ZnO带隙的......
利用脉冲激光沉积技术制备了高质量的PtSi/Si纳米薄膜.采用X射线光电子能谱、原子力显微镜及高分辨电子显微镜等现代材料分析方法,......
会议
本文首先详细分析了在脉冲激光沉积(PLD)过程中激光对靶的烧蚀特性,同时考虑了激光光束的Gauss分布,靶的有限尺寸以及相变、对流和......
学位
2001年初,日本科学家Akimitsu等人发现MgB具有高达39K的超导电性,在基础研究和实际应用两个方面引起了对MgB的广泛关注.MgB优良的......
用脉冲激光沉积(PLD)法在Si(100)基片上制备金属Mo薄膜,研究薄膜结晶性能与能量密度之间的关系,探讨薄膜生长机制和粒子能量在薄膜......
期刊
用CeO2陶瓷靶材,使用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(100)衬底上制备了CeO2薄膜。研究了衬底温度、沉积氧压对薄膜性能的影响,实验制备......
期刊
薄膜材料已在半导体材料、超导材料、生物材料、微电子元件等方面得到广泛应用。为了得到高质量的薄膜材料,脉冲激光沉积技术受到......
期刊
采用溶胶--凝胶法制备高纯的靶材,利用PLD法生长薄膜,成功地在Si衬底上生长了高质量的ZnO薄膜,系统的研究了衬底温度对薄膜生长的......
采用脉冲激光沉积(PLD)技术在(0006)取向的蓝宝石基片上,通过MgO缓冲层诱导生长了BaFe12O19(BaM)薄膜,研究了沉积温度对BaM薄膜的......
综述了脉冲沉积(PLD)类金刚石膜(DLC)的优势和局限,对其局限的补偿和突破,以及脉冲沉积法的重要发展方向——超快脉冲激光沉积(Ult......
分别以铝、铒、镱为靶材,采用脉冲激光沉积技术(PLD),在二氧化硅/硅基底上沉积镱、铒共掺的三氧化二铝薄膜.利用原子力显微镜(AFM)......
采用脉冲激光沉积 (PLD)工艺 ,制备了以Bi4Ti3O1 2 (BIT)为过渡阻挡层的Au PZT BIT p Si异质结 .研究了BIT铁电层对Pb(Zr0 .5 2 Ti......
期刊
采用准分子脉冲激光沉积 (PL D)工艺 ,制备了 Au/ PZT/ p- Si结构铁电存储二极管 .在氧气氛 35 0℃低温沉积、原位 5 30℃快速退火......
采用PLD法在LaAlO3(012)单晶衬底上外延生长了高、双掺杂La1/3(Ca2/3Sr1/3)2/3MnO3(LCSMO)薄膜.薄膜的X射线衍射谱表明,薄膜具有钙......
分别采用固相法和溶胶一凝胶（Sol—Gel）法制备了Ca3Co4O9热电陶瓷靶材，对Ca3Co4O9薄膜的成膜工艺及机制进行了分析与探讨，在此基础上，采......
利用脉冲激光沉积技术在高电导率衬底上，制备了非晶碳－聚酰亚胺复合薄膜，首次观察到非晶碳－聚酰亚胺复合薄膜具有较低的电子发射阈值电......
用脉冲激光沉积（PLD）方法,在蓝宝石（0001）衬底上,制备了高度c轴取向的Zn1-xCoxO（x=0,0.02,0.05,0.07,0.1）薄膜。X射线衍射（XRD）分析表明,当......
采用脉冲激光沉积（PLD）法，在制备有SrRuO3底电极的SrTiO3（001）基片上生长高质量的NiFe2O4／Pb（Zr0.52Ti0.48）O3双层复合磁电薄膜。用X-射线......
采用脉冲激光沉积（PLD）技术,在不同氧气氛下,在Si（111）衬底上生长了ZnO薄膜,使用X线衍射仪分析了ZnO薄膜的结晶质量。计算了不同氧气氛......
采用脉冲激光沉积法(Pulsed laser deposition,PLD)在Pt/Ti/SiO 2/Si衬底上制备TiN/Al掺杂Hf0.5Zr0.5O2/TiN的MIM(金属-绝缘体-金......
本文基于脉冲激光沉积（PLD）方法及热退火处理方式，利用输出波长为1064nm的Nd：YAG脉冲激光器在P型Si（100）衬底上生长了均匀的单相β-FeSi2......
采用溶胶——凝胶法制备高纯的靶材,利用PLD法生长薄膜,成功地在Si衬底上生长了高质量的ZnO薄膜,系统的研究了衬底温度对薄膜生长......
采用脉冲激光沉积方法，通过改变脉冲激光能量在单晶硅衬底上制备了类金刚石薄膜，利用椭圆偏振光谱和拉曼光谱对得到的薄膜进行测试，并......
用溅射Ga2O3反应自组装和脉冲激光沉积（PLD）法分别在硅和蓝宝石衬底上制备CaN薄膜,用X射线衍射图谱（XRD）和原子力显微镜（AFM）对GaN薄膜的......
采用脉冲激光沉积（PLD）技术在（0006）取向的蓝宝石基片上,通过MgO缓冲层诱导生长了BaFe12O19（BaM）薄膜,研究了沉积温度对BaM薄膜的晶体结......
采用脉冲激光沉积（PLD）方法在Si（100）衬底上制备了NaF薄膜。在激光重复频率2 Hz,能量密度3 J/cm^2,本底真空度5×10^-5Pa的条件下,......
采用脉冲激光沉积（PKD）技术，在Si（100）衬底上制备出高度C轴取向的ZnO薄膜。通过测量X射线衍射（XRD）谱、扫描电镜（SEM）和光致发光（PL）谱，研究了......
文章综述了金属间化合物Fe3Si制备方法的研究现状,详细介绍了Fe3Si的几种常用制备方法,如分子束外延（MBE）、脉冲激光沉积（PLD）、物理气......
利用脉冲激光沉积方法在（001）取向SrTiO3（STO）衬底上制备高质量Pb（Zr（0.2）Ti（0.8））O3外延薄膜.使用高分辨X射线衍射仪、扫描探针显微镜以及铁......
采用脉冲激光沉积（PLD）法在石英衬底上制备了ZnO薄膜。为研究ZnO薄膜内部主要点缺陷，我们用（002）ZnO单晶与ZnO薄膜作对比，并进行了霍尔测......
采用脉冲准分子激光沉积技术,分别在Si（111）单晶及玻璃基片上沉积了具有高a-（200）取向的CuO掺杂的SnO2薄膜.采用X射线衍射的（XRD）及透射......
采用脉冲激光沉积(PLD)技术,分别在单晶硅基片和玻璃基片上沉积了NiZn铁氧体多晶薄膜,薄膜为单相尖晶石结构,在两种基片上都呈现出......
以SnO陶瓷为靶材,采用脉冲激光沉积法（PLD）,在厚度为330 nm的r面蓝宝石衬底上制备厚度约为270 nm的单相SnO外延薄膜,并通过改变衬底......
采用脉冲激光沉积法,在c面蓝宝石衬底上,以VO2陶瓷作为烧蚀靶材,高纯氧气作为反应气体,固定衬底温度600℃,通过改变生长氧压制备VO......
采用PLD方法制备了Fe/Al合金薄膜,研究了Fe/Al合金薄膜的物相、结构、应力等.研究表明薄膜的沉积速率随着衬底温度的升高而降低.原......
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利用脉冲激光沉积法在带有Y2O3、YSZ隔离层的金属基带上制备了CeO2帽子层。主要讨论了温度、激光脉冲频率对CeO2隔离层的影响，用X射......
以国产脉冲激光沉积设备（PLD-Ⅲ型）在玻璃衬底上沉积Ti O2薄膜为例,研究了PLD法制膜过程中靶衬间距对薄膜均匀性的影响.实验过程中,......
IrO2薄膜具有导电性好，耐腐蚀能力强，并能有效的阻挡高温下元素间（O、Zr、Pb、Ti等）的扩散等特点，已成为高密度动态随机存储器（DRAMs）和非......
学位
随着社会经济的迅速发展和环境资源的过度开发，环境污染问题越来越引起人们的极大关注。如有毒有害气体污染和各种水体中的重金属污......
采用脉冲激光沉积（PLD）法在Si（100）衬底上生长了NaF薄膜．分别用原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）对薄膜的微观结构、......
Sn的两种重要的氧化物,一氧化锡（SnO）和二氧化锡（SnO2）,均为宽禁带半导体材料。SnO作为一种本征p型半导体,具有高迁移率和稳定的p型导......
用脉冲激光沉积（PLD）方法，在p-Si（100）衬底上、室温下和不同N2氛围中制备了高度取向的A1N薄膜，并利用X射线衍射（XRD）仪、傅立叶变换红外（FTI......
采用脉冲激光沉积（PLD）法在Al2O3（0002）衬底上制备了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜。用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、霍尔电导测量和......
用电化学阳极氧化法制备了一定孔隙率的多孔硅（PS，Porous Silicon）样品，然后以PS为衬底用脉冲激光沉积（PLD）的方法在100℃、200℃ 和300......
采用脉冲激光沉积技术在（0001）取向的蓝宝石基片上外延生长了Pt单晶薄膜，研究了沉积温度和激光能量对Pt薄膜的晶体结构，表面形貌及电学......
