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a轴取向相关论文

ZnO低维材料的液相化学法制备、掺杂及生长机制研究

氧化锌(ZnO)是近年来研究最为广泛的半导体材料之一。作为一种典型的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带金属氧化物半导体,ZnO的禁带宽度达到3.4eV,因此......

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氧化锌溶胶-凝胶反胶束微乳液水热法薄膜 c轴取向 a轴取向自组装 Al掺杂中空纳米结构六角微管

择优取向生长的ZnO薄膜的制备及氧化物薄膜生长过程的分子动力学模拟

氧化锌（ZnO）作为一种新型的直接宽禁带氧化物半导体材料,近年来受到了研究者的广泛关注。室温下ZnO的禁带宽度为3.37eV,这一特性使其......

学位

氧化锌薄膜氧化镁薄膜 c轴取向 a轴取向溶胶-凝胶分子动力学模拟

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