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报道了具有全固态绝缘结构的横向型半绝缘GaAs光电导开关的研制和性能测试结果 .其中 8mm电极间隙的GaAs开关暗态绝缘强度达 2 8kV......
给出了高倍增SI-GaAs光电导开关在临界光能、电场阈值触发条件下的瞬态光激发电荷畴现象的实验结果，进一步讨论了生成畴的光、电阈......
在兼顾电脉冲功率和带宽两方面，光电导开关是最有效的微波辐射源。然而，由于GaAs材料的固有特性，半绝缘GaAs光电导开关在其工作性能上......
