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n+p结相关论文
固相外延CoSi_2薄膜作为扩散源形成n^+p浅结技术研究
通过As+离子注入到由TiN/Co/Ti/Si多结构固反应得到的外延COSi2层中,利用外延硅化物作为扩散源(ESADS),形成了0.1μm的浅n+p结,研究了CoSi2外延薄膜离子注入非晶化后的再结晶特......
期刊
CoSi薄膜
固相外延生长
n+p结
半导体材料
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