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pH-ISFET器件相关论文
Si3N4绝缘栅中两种表面基对pH—ISFET器件敏感特性的影响
在表面基模型理论基础上,本文研究了含两种表面基的Si3N4绝缘体主其两种表面基的比例系数对pH-ISFET器件敏感特性的影响。在硅西文/胺基=7/3附近时,得到......
期刊
氮化硅
绝缘栅
表面基模型
pH-ISFET器件
Gates (transistor)
Mathematical models
Semiconducting s
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