p型导电性相关论文
在过去的几十年中,氮化铝（AlN）作为Ⅲ族氮化物中具有最宽带隙的直接带隙半导体（带隙为6.2 e V）,在发展紫外光光源（发光二极管和激光二极......
利用第一性原理的方法研究了在ZnO非极性表面和极性表面的不同原子层中,分别用Li原子去替位Zn原予(记为Li_(zn))后的相对稳定性和......
ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，具有直接宽带隙(室温下3.37 eV)，属于六方纤锌矿结构。ZnO的禁带宽度宽，激子结合能为60meV，远高于......
