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p型金属氧化层半导体相关论文
工艺偏差下PMOS器件的负偏置温度不稳定效应分布特性
当器件特征尺寸进入纳米级,负偏置温度不稳定性(NBTI)效应和工艺偏差都会导致p 型金属氧化层半导体(PMOS)器件性能和可靠性的下降.基于......
期刊
p型金属氧化层半导体
负偏置温度不稳定性
工艺偏差
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