工艺偏差相关论文
随着集成电路制造工艺进入到纳米尺度,工艺偏差对电路性能的影响越来越复杂。同时集成电路朝着更高的集成度和更大的电路规模方向......
随着存储器的集成度不断提高，以及工艺偏差带来的单元间不均一性，传统存储器单元错误率持续提高。新型存储器，特别是相变存储器和阻变......
本文主要研究并设计了一种用于射频前端电路的温度和工艺检测补偿技术。该温度和工艺检测补偿技术,分别包括了温度传感器和工艺检......
集成电路是信息技术的核心,在社会经济发展和国家安全领域都扮演着至关重要的角色。在经济全球化的驱动下,为了加快集成电路开发并......
存储墙问题是限制处理器性能提升的关键问题之一,末级缓存(Last Level Cache,LLC)作为片上系统中容量最大的缓存,是影响处理器性能......
近年来，功率集成电路得到了突飞猛进的发展，集成度越来越高。作为最常见的高压功率器件之一，VDMOS更多地集成在芯片里，而不仅仅以分立......
MEMS器件作为集成电路和微机械的结合,性能对制造工艺具有更大的依赖性,故对其设计制造引入可制造性设计(DFM)思想势在必行。可制......
基于对工艺偏差不敏感的温度补偿机制,提出了一种低工艺偏差的低功耗基准电流源.利用MOS管的阈值电压和片上电阻的温度系数在工艺......
硅集成电路的按比例缩小技术进入深亚微米(小于100纳米)阶段以后,出现了一系列难以解决的设计问题,给设计人员带来了难以想象的困......
本文采用HAZOP分析方法分析了导致超临界乙烯管道输送工艺偏差的原因及偏差可能导致的风险和后果，提出了采用适当的控制措施，使事故......
提出一种利用键合线电感设计VCO的方法,利用HFSS(High Frequency Structure Simulator)软件,建立电感仿真模型,在5 GHz以下与库模......
采用一种新的张弛振荡器,实现了一种不受工艺影响的低功耗片上温度传感器.将与温度成正比的电流输入到振荡器,产生与温度成正比的......
提出一种基于通用交叉耦合电平转换器的低开销新型物理不可克隆函数的电路设计。该设计只需在传统电平转换电路中引入一个额外的开......
随着工艺偏差的日益增加,新的失效机制也在亚100 nm工艺的CMOS电路里出现了,特别是SRAM单元。SRAM单元的故障由晶体管阈值电压Vt差......
近年来，物联网和移动互联网为代表的应用芯片提出了越来越高的功耗要求。降低工作电压是降低功耗的有效方法，但是随着电压的降低，电路......
随着集成电路工艺尺寸的不断降低,CMOS电路越来越容易受到单粒子效应的影响并产生软错误.为了降低电路软错误率,提出一种高可靠的......
为了应对集成电路老化对电子系统可靠性带来的威胁,提出一种应用关键路径漏电流变化进行负偏置温度不稳定性老化预测的方法.首先用......
半导体器件的片内偏差是影响芯片性能的主要因素之一,片内偏差具有空间相关性.随着工艺尺寸的持续缩小,片内偏差空间相关性日益复......
为建立考虑工艺参数随机变化情况下的模拟电路模块的行为级模型,提出了基于稀疏网格的随机配置建模方法.首先,与传统的需要大量采......
为了解挠性接管安装工艺状态对机械隔振系统振动传递特性的影响,选取某型船舶上典型的管路系统及挠性接管为研究对象,采用二分法进......
为了提高随机工艺偏差下门延时建模的计算精度和效率,提出一种基于扩展Gauss积分理论及嵌套式稀疏网格技术的随机配置门延时建模方......
近阈值电路设计因其能效优势受到广泛关注,然而随之而来的延时波动加剧,导致传统基于片上波动的时序分析方法过于悲观不再适用。统......
文章从工艺偏差的角度入手,采用蒙特卡罗分析方法,结合独特的辅助电压源前置放大器,基于TSMC 0.25 μm CMOS工艺,对1 GHz采样率8位......
针对基于环形振荡器（ring oscillator, RO）的硬件木马检测方法受到工艺偏差的严重影响,导致木马检测准确度降低的问题,提出了一种新......
首先简述了硬件木马以及现有的硬件木马检测方法,之后考虑了工艺偏差对硬件木马检测的影响;工艺偏差的存在对电路功耗和延时等都会......
当器件特征尺寸进入纳米级，负偏置温度不稳定性（NBTI）效应和工艺偏差都会导致p 型金属氧化层半导体（PMOS）器件性能和可靠性的下降.基于......
随着CMOS工艺特征尺寸的减小,带隙基准电压源在制造过程中因器件失配和工艺波动易导致实际输出电压和目标值发生偏离,降低芯片成品......
时钟电路作为绝大多数电路中不可或缺的部分,自出现至今一直在各类电路中扮演着重要角色。随着集成电路制造工艺的进步和应用范围......
侧信道分析技术作为硬件木马的主要检测方法，因侧信道信号受工艺偏差影响，其应用存在局限性。针对这一问题，提出了一种考虑工艺偏差的......
文章在改进经验法则的基础上,对工艺参数的偏差进行了统计分析.首先由切比雪夫不等式引入基于正态分布的经验法则,然后利用后验概......
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针对传统的边信道检测模型容易受到工艺偏差的影响,提出了一种集成在电路内部的检测方法,该方法将电路内部难以直接测量的待测信号......
工艺实践表明,采用体硅湿法刻蚀工艺加工压阻式微型压力传感器时,敏感膜片会存在厚度偏差,电阻条偏离应力最大区域导致位置偏差,电......
期刊
集成电路的发展历史是集成度不断提高、器件特征尺寸不断缩小的历史。随着制造工艺的不断进步，一方面芯片规模不断扩大，已达到数亿晶......
从集成电路的诞生到如今单片集成上亿个晶体管,短短几十年的时间里集成电路产业发展创造了一个人类技术史上的光速神话。集成电路......
集成电路产业无疑是有史以来发展速度最为迅猛的产业之一。随着特征尺寸的持续不断缩小,集成电路的性能和集成度均以几何速度飞速......
随着半导体工业的发展,工艺的特征尺寸不断缩小,芯片的集成度不断提高,集成电路设计和制造的复杂度也不断增大。当器件的特征尺寸......
本论文的研究方向是低功耗数模混合集成技术。本文不仅对该技术的基础理论进行了分析和研究,还应用到了三个设计实例中：离散型∑△......
随着工艺节点不断演进,越来越多的功能模块被集成到更小的芯片尺寸中。然而,考虑到多工艺角下的工艺偏差等效应,传统的时钟树综合......
电压调控磁各向异性磁隧道结(voltage controlled magnetic anisotropy magnetic tunnel junction, VCMA-MTJ)作为磁随机存储器(ma......
先基于实际工艺条件和频域有限差分法,优化了纳米压印三角带型a-Si太阳电池织构结构,然后重点探讨了有源层和铝背反镜厚度偏差、Si......
本文对工艺偏差与电气参数的关系进行了研究,探讨了干式空心电抗器电气参数的计算方法,编写了计算软件,并给出了计算实例。......
针对由于工艺偏差导致的器件误差和不匹配性会严重降低基准源的性能，在研究器件失配的基础上，设计了幅值在15～80肛A之间可调的基准电......
半导体工业的进步依赖于不断缩小的特征尺寸以及由此获得的器件性能的快速提高和芯片集成度的指数增长。当集成电路特征尺寸到了纳......
集成电路是国家信息产业和网络安全的核心,几乎应用于生活的方方面面。但随着集成电路产业的全球化,芯片设计公司为了节省制造成本......
MEMS(micro electro mechanical systems,微电子机械系统)已在汽车、智能手机、工业、航空航天等领域得到广泛应用,随着物联网、人......
现阶段集成电路发展已经迈入纳米时代,其设计规则、制造技术以及工艺流程都变得十分复杂。随着晶体管特征尺寸的不断缩小,集成电路......
