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单结InxGa1-xN太阳电池特性的研究
采用第一性原理和电子连续方程方法,研究了p层厚度和In的掺杂浓度对单结InxGa1-xN太阳电池性能的影响。计算结果表明:p层厚度从0.0......
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p层厚度对Si基GaN垂直结构LED出光的影响
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在Si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的InGaN/GaN蓝光LED薄膜并制备成垂直结构发光二极管(VLE......
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