采用等离子体增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法在４０Ｃｒ钢（含Ｃｒ０．８％￣１．１％）或铜等金属基片上沉积氮化硅薄膜。沉积温度为２５０℃时，制备的薄膜厚度为０．２￣０．４μｍ，电阻率为８×１０＾１６Ω&#......