氮化硅薄膜相关论文
低频声波传感器在自然灾害预警领域、工业领域、地质探测领域和军事领域等都拥有及广阔的应用前景。目前市场上常见的低频声波传感......
在光谱椭偏测量中，玻璃基底的背反射会给测量结果造成较大影响。针对平板显示器件玻璃基底表面氮化硅镀膜进行了椭偏测量和模型计算......
随着国家海洋强国战略的发展，对测量海洋要素的海洋电导率和温度传感器的性能要求日渐提高，基于MEMS(Micro-electromechanical Micro......
以原子层沉积(ALD)设备及管式PECVD设备制备单晶硅双面太阳电池背表面钝化膜的工艺为研究对象,通过实验讨论了管式PECVD设备采用不......
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腔光力学是一个新兴的研究方向,其主要用于研究光场与机械运动之间相互耦合的物理现象[1]。得益于微纳加工手段的日益进步,腔光力......
微型加速度传感器是应用最为广泛的MEMS传感器之一。三轴微加速度传感器是可以用来同时测量面内X、Y轴和垂直于芯片表面Z轴的微型......
光子的动量会带来辐射压从而对物体有力的作用,这种光与机械振子之间力的相互作用,是光力学的主要研究课题。腔光力学在精密测量、......
腔光力学是利用光场与宏观机械振子运动之间的耦合,实现对机械振子运动的光学探测以及对机械振子在量子区域进行控制。氮化硅薄膜......
室温下,通过采用直流反应磁控溅射法在覆盖有氮化硅薄膜的单晶硅衬底上生长了厚度约为100nm的氧化钛薄膜。掠入射X射线衍射分析结......
本文报导了用电子束蒸发的方法,在GaAs衬底上制备Si_3N_4掩蔽膜的实验结果。在250℃～280℃下,用Cr激活的GaAs——Si_3N_4薄膜,附着......
利用红外吸收光谱法,测量了氮化硅膜中的氢浓度。在钝化前后,对MOS结构界面性质及MOS器件特性进行了研究。结果表明:氮化硅膜中的......
硅微机械加速度计是MEMS(Micro Mechanical System)传感器的研究热点之一,具有体积小、成本低、易于批量生产等优点。与其它类型的......
纳米管道是指直径在0.1nm到100nm之间的孔状通道。当通道的直径尺寸从宏观量级降低到纳米量级时，通道的面积体积比将变得极大，通道会......
随着MEMS新材料和新技术的不断出现，压力传感器向着小型化，集成化和智能化方向发展。压力传感器在消费电子产品，汽车工业，医疗设备等领......
在超大规模集成电路和微机电系统(MEMS)领域中，等离子体辅助化学气相沉积法(PECVD)是一种常用薄膜制备技术，具有淀积温度低、均匀性......
钢铁表面的防护和改性历来是非常重要的课题。近年来，材料研究者一直希望将氮化硅等高性能陶瓷结合在钢铁表面，并对此进行了大量的研......
本文在全面总结目前太阳电池材料的研究现状和其未来发展趋势的基础上,用超高真空磁控溅射仪制备了SiN/(Si/Ge)x薄膜,并用XRD、SEM......
镁合金是实际应用中最轻的金属结构材料，具有密度小，比强度、比刚度高，减震性好，电磁屏蔽能力强等优点，广泛应用于汽车工业、航空航天以......
氮化硅薄膜是一种具有十分优良的物理化学性质的介质膜,具有优良的化学稳定性,高电阻率,良好的绝缘性和光学性能,广泛地应用于半导......
随着现代薄膜生长技术的发展，半导体薄膜已进入人工设计多层异质结构的新阶段。具有一维周期结构的晶态超晶格因为具有诸如量子尺寸......
宽禁带半导体材料一般具有高的击穿电场、高的热导率、高的电子迁移率及更高的抗辐射能力，在压电、光电器件、液晶显示器、太阳能电......
随着“摩尔定律”的提出,硅基微电子器件的特征尺寸已经达到了物理极限,人们开始为扩大硅基微电子技术而努力。实际上,硅作为光学......
该论文是关于硅基底上形成的晶态碳化硅纳米岛、氮化硅薄膜和铒硅化合物表面结构的研究,主要包括以下四个方面的工作:一、硅基底上......
本工作采用螺旋波等离子体化学气相沉积(HWP-CVD)方法制备了氢化非晶氮化硅(a-SiN_x：H)薄膜，系统地研究了不同反应气体配比对薄膜特......
该文研究了氮化硅薄膜的性能、磷铝吸杂对于多晶硅太阳电池的影响.首先,该文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备了氮化硅薄......
使用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ECR-CVD）方法室温生长了非晶氢化的氮化硅薄膜。在薄膜制备方面，通过改变前驱气体的流量......
磁存储技术由于其不易丢失数据等优点,已经成为最经济的数据存储技术并得到广泛的应用。最近,随着巨磁阻读写磁头（giant magneto-re......
硅由于性能优异且技术成熟,已经成为了电子工业中最重要的半导体材料,并广泛应用于各个领域。以它们为基础研发的器件已经进入并改......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
1、简介rn我公司研制的卧式PECVD设备专门应用于太阳能电池制造领域中氮化硅薄膜的淀积工艺.rn由于PECVD淀积氮化硅膜时,在生长氮......
利用硼离子Ｂ＋注入方法来改善Ｓｉ３Ｎ４薄膜的力学性质，并就Ｂ＋注入对Ｓｉ３Ｎ４薄膜驻极体性质的影响进行了较为系统的研究．实验结果表明，Ｂ＋注入能够有效地降低薄......
采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD),在低衬底温度下制备了系列富硅量不同的富硅氮化硅薄膜,且所有样品分别经过不同温度的......
采用中频孪生靶非平衡磁控溅射技术在AZ31镁合金基底上制备出氮化硅薄膜。利用傅里叶变换红外光谱仪、电子探针、X射线衍射仪等研......
采用多层工艺和光刻方法在玻璃衬底上加工了亚微米级金叉指型超微带电极阵列(IDA),IDA电极的宽度为362 nm,电极表面位于沟槽内.实......
利用螺旋波等离子体增强化学气相沉积 (HWP CVD)技术 ,以SiH4 和N2 为反应气体进行了氮化硅 (SiN)薄膜沉积 ,并研究了实验参量对薄......
以采用PECVd工艺制备的背面氮化硅薄膜对双面单晶硅太阳电池电致发光(EL)发黑的影响为研究对象进行了实验验证。结果表明,当背面氮......
氮化硅（摘要）薄膜具有许多优良特性，在半导体、微电子和MEMS领域应用广泛。本文简要介绍了利用CVD方法制备摘要薄膜以及Si3N4薄膜的特......
用射频磁控溅射技术制备了氮化硅薄膜,室温下测试了薄膜的光致发光谱（PL）和光致发光激发谱（PLE）,对薄膜材料的发光特性进行了分析.结果......
含氢氮化硅薄膜在太阳电池工业生产领域被广泛的用作减反射层和钝化层。使用工业型等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备制备了含......
Characteristics and Electrical Properties of SiNx：H Films Fabricated by Plasma-Enhanced Chemical Vap
S1Nx:H films with different N/Si ratios are synthesized by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD). Compositio......
本文利用偏心静电单探针诊断了反应室内的等离子体密度的空间分布；由Ｔｅｌｓｔｅｐ－Ｈｏｂｂｓｏ轮廓仪研究了ＥＣＲ－ＰＥＣＶＤ制备的Ｓｉ３Ｎ４薄膜的表面特性。结果表明ＥＣＲ－ＰＥＣＶＤ制备的氮化硅薄膜......
简要介绍了基于磁控射频溅射技术的Si3N4薄膜沉积技术及Si3N4薄膜基于剥离(lift-off)技术的微加工技术。实验结果表明该技术适用于......
氮化硅薄膜刻蚀是制造微电子器件的关键技术之一,刻蚀的效果直接影响电子元器件的性能。采用反应离子法对氮化硅薄膜进行了刻蚀,并......
在5.0eV的激光激发下,在室温下富硅的LPCVD氮化硅薄膜可发射六个PL峰,其峰位分别为2.97, 2.77, 2.55, 2.32, 2.10, 1.9eV.经900～1 1......
研究了用PECVD薄膜沉积设备制作氮化硅薄膜的透过率。通过改变沉积工艺参数,研究了沉积温度、射频功率、SiH4流量和腔体压强对薄膜......
以三氯硅烷和氨气作为硅源和氮源，利用低压化学气相沉积工艺（LPCVD）在烧结氮化硅表面制备氮化硅薄膜。考察了工艺参数对沉积速率的影......
