成功地试制出薄虚拟SiGe衬底上的应变Si pMOSFETs.利用分子束外延技术在100nm低温Si(LT-Si)缓冲层上生长的弛豫虚拟Si0.8Ge0.2衬底......

研究了应变Si沟道引入对薄膜全耗尽SOI MOSFET器件特性的影响，并分析了器件特性改进的物理机理。与传统的SOI MOSFET结构相比，器件的......

提出了一个应变硅沟道电子迁移率解析模型．模型以应变张量为对象研究应变硅沟道电子迁移率，因此与工艺相独立；适用于施加双轴应力及〈......