全耗尽相关论文
对全耗尽 SOI CMOS技术中的 Ge预非晶化硅化物工艺进行了研究 .Ge的注入 ,使 Si非晶化 ,减小了硅化物的形成能量 .Ti硅化物在非晶......
FD-SOI(全耗尽绝缘硅)是指一种平面晶体管结构。这种平面架构是通过在绝缘硅片晶圆超薄的绝缘氧化埋层(BOX)上再生长一层超薄的单......
描述了厚度为１．６ｍ ｍ 灵敏面积为１０ｍ ｍ 的全耗尽型面垒探测器的研制及性能，同时给出了这种探测器用于硬Ｘ射线（２ｋｅＶ＜ Ｅｘ ＜ ２０ｋｅＶ）辐射场的模拟测试结果。
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阳气是人体物质代谢和生理功能的原动力，是人体生殖、生长、发育、衰老和死亡的决定因素。人的正常生存需要阳气支持,所谓“得阳者......
采用双多晶硅栅全耗尽CMOS/SIMOX工艺成功研制出双多晶硅栅器件 ,其中N +栅NMOS管的阈值电压为0.45V ,P +栅PMOS管的阈值电压为 -0......
对多晶硅双栅全耗尽SOICMOS工艺进行了研究，开发出了1.2μm多晶硅双栅全耗尽SOICMOS器件及电路工艺，获得了性能良好的器件和电路。NM......
介绍了厚度为350μm、有效面积为530mm2的AE和厚度为700μm有效面积为1380mm2E探测器所组成的全耗尽Au—Si面垒型带电粒子望远镜的......
选用SIMOX(Separation by Implantation of Oxygen)衬底材料,对全耗尽SOI CMOS工艺进行了研究,开发出了N+多晶硅栅全耗尽SOI CMOS......
随着器件尺寸的不断缩小,对更大驱动电流和更有效抑制短沟道效应器件的研制成为研究的热点,SOI多栅全耗尽器件由于对沟道更好控制......
研究了应变Si沟道引入对薄膜全耗尽SOI MOSFET器件特性的影响，并分析了器件特性改进的物理机理。与传统的SOI MOSFET结构相比，器件的......
研究了不同偏置条件下,全耗尽SOI NMOSFET的总剂量抗辐射特性,主要讨论不同偏置条件对器件中陷获电荷的产生和分布,以及由此对器件......
研究了基于超薄SOI(UTSOI)的MOSFET总剂量辐照效应。研究主要基于晶体管的三个工作状态(ON状态、OFF状态、TG状态)和不同的背栅偏......
在300～600K温度范围内,利用ISE TCAD模拟软件对全耗尽SOI电路的温度特性进行了模拟分析,得到了较全面的SOI CMOS倒相器静态特性和瞬......
高分辨率Ge(Li)γ射线探测器有两个固有的缺点:一是锂的迁移率太大,探测器必须长期保存在液氮温度,其次是锂离子漂移过程很长。为......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
介绍了电路的工作原理,对主要的延迟和选通控制单元及整体电路进行了模拟仿真,证明电路逻辑功能达到设计要求。根据电路的性能特点......
建立了深亚微米全耗尽SOI BJMOSFET器件的二维电流模型;运用HSPICE软件,模拟得到其电流-电压特性曲线。与相同条件下的全耗尽SOI M......
绝缘体上硅器件(SOI)具有结电容小、抗辐射性能好、优良的亚阈区特性、消除了闩锁效应、适于低压低功耗工作等优点，而被称为“二十......
在高电阻率的N型硅衬底上制作出全耗尽背照式的光电二极管。电阻率约为15000Ω.cm的硅衬底可以得到几百微米深的耗尽区,而通过在光......
建立了一个预测硅全耗尽背照式光电二极管响应率的解析模型。分析了所加反偏压与光谱响应之间的关系,解出了硅全耗尽背照式光电二......
全耗尽SOI器件能够有效地克服体硅器件的不足,充分发挥硅集成技术的潜力,已经在高性能ULSI、VHSI、高压、高温、抗辐照、低压低功......
SOI器件由于具有寄生电容小、易形成浅结、可以避免闩锁效应、良好的电学特性等优点,成为深亚微米工艺中极具潜力的一种技术。但是......
集成电路进入深亚微米以后,传统的体硅CMOS寄生效应和迁移率不匹配问题亟待解决,针对体硅中器件尺寸缩小引起的寄生效应,可以采取S......
SOI CMOS电路因具有低结电容、二级效应小以及无热激发闩锁效应等优点,现已广泛的应用于高速低功耗IC设计领域。但由于SOI结构中的......
<正>2014年,集成电路产业重要创新的三大进展如下:一是14nm Fin FET工艺芯片正式进入市场。14nm工艺节点被业界普遍视为集成电路制......
