全耗尽相关论文
基于薄膜全耗尽SOICMOS工艺,进行了建模分析,在300～600K温度范围内,利用ISETCAD软件对SOICMOS器件单管高温特性进行了模拟分析,同时......
研究了应变Si沟道引入对薄膜全耗尽SOI MOSFET器件特性的影响,并分析了器件特性改进的物理机理。与传统的SOI MOSFET结构相比,器件......
横向功率器件是智能功率集成电路的核心器件，而漂移区杂质分布是影响器件击穿性能的重要因素。本文基于二维泊松方程的解，建立了......
本文简要地介绍了厚度为100μm、450μm、Si(Li)半导体硅探测器所组成的全耗尽带电粒子望远镜探测系统，该望远镜探测系统已成功地应......
采用Si+注入到埋氧化层中并退火制备了总剂量加固的全耗尽SIMOX材料，对得到的样品在辐照前后的pseudo-MOSFET特性曲线进行了研究。......
硅漂移室(SDD)是一种新型的、独具优势的核辐射探测器。采用平面工艺技术，通过在硅片两表面制造特殊结构的电极，在适当的偏压下，使硅......
本文提出了一个基于表面势的耗尽层电流计算新方法，由于LDMOS结构的特殊性,其漂移区电流受到源漏栅电势的综合影响,难以确定。在现......
北京大学微电了所和空问物理与应用技术研究所研制的离了注入表面钝化全耗尽硅探测器性能指标稳定、可靠，具备了批量生产能力，欢迎用......
本文描述了用平面工艺+离子注入技术制备新型空间带电粒子探测器的工艺技术及器件的特性.探测器的厚度为100μm,300μm,450μm和10......
本文简单介绍了微机械工艺硅薄层探测器的制备过程,对Ф12mm、敏感层100μm的硅PIN探测器进行了测试,包括PIN结全耗尽电压、噪声、......
本文选用SIMOX(Separation by Implantation of Oxygen)衬底材料,对全耗尽SOI CMOS工艺进行研究,开发出了N+多晶硅栅全耗尽SOI CMO......
对全耗尽SOI器件硅膜中的纵向电位分布采用准三阶近似,求解了亚阈区的二维泊松方程,得到了全耗尽器件正背界面的表面势公式;通过引......
本文对离子注入技术在CMOS/SOI中的应用进行了详细研究.其中,主要研究了部分耗尽/全耗尽SOI器件在沟道工程---即采用深浅两次注入......
本文对全耗尽SOI CMOS技术中的注Ge硅化物工艺进行了研究.Ge的注入,使Si非晶化,减小了硅化物的形成能量.Ti硅化物在非晶层上形成.......
全耗尽SOI技术非常适合高速度、低压低功耗超大规模集成电路的工艺集成.本论文对全耗尽SOI CMOS器件、电路和工艺进行了研究.(1)对......
学位
亚微米全耗尽 SOI( FDSOI) CMOS器件和电路经过工艺投片 ,取得良好的结果 ,其中工作电压为 5V时 ,0 .8μm全耗尽 CMOS/ SOI1 0 1级......
期刊
对全耗尽 SOI CMOS技术中的 Ge预非晶化硅化物工艺进行了研究 .Ge的注入 ,使 Si非晶化 ,减小了硅化物的形成能量 .Ti硅化物在非晶......
FD-SOI(全耗尽绝缘硅)是指一种平面晶体管结构。这种平面架构是通过在绝缘硅片晶圆超薄的绝缘氧化埋层(BOX)上再生长一层超薄的单......
阳气是人体物质代谢和生理功能的原动力，是人体生殖、生长、发育、衰老和死亡的决定因素。人的正常生存需要阳气支持,所谓“得阳者......
采用双多晶硅栅全耗尽CMOS/SIMOX工艺成功研制出双多晶硅栅器件 ,其中N +栅NMOS管的阈值电压为0.45V ,P +栅PMOS管的阈值电压为 -0......
本文在近似求解全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ所满足的二维泊松方程的基础上，建立了阈电压的解析模型。......
对多晶硅双栅全耗尽SOICMOS工艺进行了研究，开发出了1.2μm多晶硅双栅全耗尽SOICMOS器件及电路工艺，获得了性能良好的器件和电路。NM......
介绍了厚度为350μm、有效面积为530mm2的AE和厚度为700μm有效面积为1380mm2E探测器所组成的全耗尽Au—Si面垒型带电粒子望远镜的......
本文较为详细地分析了薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ技术的优势和国内外ＴＦ ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件和电路的发展状况，讨论了ＳＯＩ技术今后发展的方向，得出了全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ成为下一代超高......
<正>In nuclear physics experiments, the depleted Au-silicon surface-barrier charged particle telescope△E-E system detec......
选用SIMOX(Separation by Implantation of Oxygen)衬底材料,对全耗尽SOI CMOS工艺进行了研究,开发出了N+多晶硅栅全耗尽SOI CMOS......
介绍了电路的工作原理，对主要的延迟和选通控制单元及整体电路进行了模拟仿真，证明电路逻辑功能达到设计要求。根据电路的性能特点，采......
随着器件尺寸的不断缩小,对更大驱动电流和更有效抑制短沟道效应器件的研制成为研究的热点,SOI多栅全耗尽器件由于对沟道更好控制......
研究了应变Si沟道引入对薄膜全耗尽SOI MOSFET器件特性的影响，并分析了器件特性改进的物理机理。与传统的SOI MOSFET结构相比，器件的......
对全耗尽CMOS/SOI工艺进行了研究，成功地开发出成套全耗尽CMOS/SOI抗辐照工艺，其关键工艺技术包括：氮化H2-O2合成薄栅氧、双栅和注Ge......
研究了不同偏置条件下,全耗尽SOI NMOSFET的总剂量抗辐射特性,主要讨论不同偏置条件对器件中陷获电荷的产生和分布,以及由此对器件......
基于薄膜全耗尽SOICMOS工艺，进行了建模分析，在300～600K温度范围内，利用ISETCAD软件对SOICMOS器件单管高温特性进行了模拟分析，同时利用......
在300～600K温度范围内,利用ISE TCAD模拟软件对全耗尽SOI电路的温度特性进行了模拟分析,得到了较全面的SOI CMOS倒相器静态特性和瞬......
北京电力朝阳供电公司运行人员在例行巡视某开闭站时，发现站内直流电源失电。经测量，蓄电池已完全耗尽。由于同类设备在北京电力朝阳......
高分辨率Ge(Li)γ射线探测器有两个固有的缺点:一是锂的迁移率太大,探测器必须长期保存在液氮温度,其次是锂离子漂移过程很长。为......
本文介绍了P型同轴HPGe探测器的制作方法及其性能,并给出了P型同轴HPCe探测器表面效应的初步结果。研制成的同轴探测器的耗尽体积......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
本文设计了一种8位A/D转换器,该转换器采用半闪烁型结构,由两个4位全并行A/D转换器实现8位转换,电路中的比较器用斩波稳零型结构,......
介绍了电路的工作原理,对主要的延迟和选通控制单元及整体电路进行了模拟仿真,证明电路逻辑功能达到设计要求。根据电路的性能特点......
建立了深亚微米全耗尽SOI BJMOSFET器件的二维电流模型;运用HSPICE软件,模拟得到其电流-电压特性曲线。与相同条件下的全耗尽SOI M......
绝缘体上硅器件(SOI)具有结电容小、抗辐射性能好、优良的亚阈区特性、消除了闩锁效应、适于低压低功耗工作等优点，而被称为“二十......
在高电阻率的N型硅衬底上制作出全耗尽背照式的光电二极管。电阻率约为15000Ω.cm的硅衬底可以得到几百微米深的耗尽区,而通过在光......
