x)P_x相关论文
本文系采用赤磷、三氯化砷、砷化镓(或镓)为原料,在砷化镓衬底上进行GaAs_(1-x)P_x 气相外延生长的试验总结。文中分析了影响生长......
近年来发现,在磷化镓透明衬底上气相外延生长掺氮磷砷化镓时,由于等电子陷阱杂质氮这一发光中心的引进,使高x值的GaAs_(1-x)P_x(x......
一、前言在以前的报道中,我们叙述了磷压法的一般工艺条件和初步结果。在文[1]的基础上,我们对磷压法作了较为深入的研究和改进。......
基于密度泛函理论第一性原理的平面波超软赝势,采用广义梯度近似及Heyd-Scuseria-Ernzerhof 03(HSE03)方法对能带及态密度进行修正......
采用选择激发的实验手段，在混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．８８）的光致发光谱中观察到ＮＮ１对束缚激子发光的声子伴线．通过荧光谱线窄化效应，在发光谱中得到与ＧａＰ∶Ｎ低温光致......
本文采用变温条件下的光致发光谱和选择激发发光谱对混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．４）中的ＮＸ和ＮΓ发光带进行了研究．在选择激发条件下，实验未观察到混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．４）中ＮΓ→ＮＸ的......
通过采用Gremmelmaier和液体封闭法从熔融料中拉晶已制备了整个组分范围的InAsl_(-x)P_x合金块状晶锭。本文报导了这些合金的生长......
利用宽禁带半导体材料及萤光材料,制成各种颜色及外形的固体发光器件,正广泛应用于电子设备,作为显示元件。其优点是寿命长,可靠......
已研制成功摄象机用的光探测器。它是一种具有浅p-n结的光电二极管。在n~+-GaAs衬底上,汽相外延生长的n-GaAs_(1-x)P_x层里形成p-n......
本文用一种综合场效应方法(简称 CFE),研究了用于发光二极管制作的多层异质结 GaP/GaAs_(i-x)P_x 等外延材料的某些性质,测量并计......
采用XPS测量了GaAs_1-xPx固溶体的芯能级和价带光电子谱。实验结果表明,根据Ga-3d,As-3d和P-2p的发射峰强度可以定量地确定组分比x......
本文介绍的试制工作是采用混晶GaAs_(1-x)P_x取得,吸收限在700nm左右。这样制得的器件对光敏感的范围在400～700nm。测试表明,峰值......
