介电函数相关论文
光谱椭偏数据分析是基于模型的分析方法,建立光学模型模拟被测样品,通过比较椭偏测量数据和模型生成的数据,对模型参数进行迭代优......
Sr2CrBO6(B=Os,Re,W)被证实是具有最高磁转变温度的双钙钛矿氧化物.论文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了Sr2CrBO6的......
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波法,计算未掺杂与P替换Si、C以及P间隙掺杂6H-SiC的电子结构与光学性质.结果显示未掺......
高压科学技术是凝聚态物理研究的重要组成部分。随着近年来金刚石对顶砧技术的不断改进,稳态高压记录的不断突破,高压研究领域获得......
运用第一性原理方法,研究了不同浓度碱金属Li的掺杂对单层Janus MoSSe的电子结构和光学性质的影响.计算结果表明:Li替代掺杂后,其......
温稠密物质广泛存在于行星内核及惯性约束聚变的内爆路径中,温稠密物质的物性参数对于理解行星内部磁场的产生以及惯性约束聚变的......
在有效质量近似下，运用变分法研究从理论上探讨量子点中基态能量与该量子点中结构参数之间的关系，如量子尺寸、Al 含量、质量和介电......
为了明确热处理温度对熔融法制备PbSe 量子点玻璃光电特性中介电函数的影响，实验上在不同核化时间、晶化温度条件下制备了多种样品......
通过分光椭偏测量技术、并采用Drude和Tauc-Lorentz复合模型，研究了铟锡氧（ITO）薄膜在不同基底温度和退火过程中光学介电函数的变化。......
采用分光椭偏（SE）测试技术研究晶体硅（c-Si）异质结太阳电池用氢化非晶硅（a-Si:H）薄膜钝化层的性能。采用有效媒介理论为基础进行分层多相......
测量了几种不同组分的(Si)M/(Ge)N应变超晶格材料的椭偏光谱(2.0～5.0 eV),并得到了其介电函数谱;应用介电函数的临界点理论,研究了(......
单层石墨烯是在室温下能存在的二维电子气，由于其线性色散关系与传统二维电子气相区别，在光、电、磁等多方面（如室温量子霍尔效应、高......
Temperature dependence of the point defect properties of GaN thin films studied by terahertz time-do
绝缘的功能为温度和 10-300 K 的频率范围轧了， 0.3-1 THz 被获得使用兆兆赫时间域光谱学。有在各种各样的温度的绝缘的功能的摆动，......
本研究在基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)框架下,采用局域密度近似(LDA)和赝势平面波方法,计算了平衡结构尖晶石型γ-AlON的态......
采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了Cmcm空间群斜方SrHfO_3的电子结构和光学性质。计算得到的C......
传统的表面等离激元材料,由于其介电函数虚部不可忽略,在金属与光的相互作用过程中,所造成的吸收损耗是在所难免的。而氮化钛(TiN)......
基于密度泛函理论的从头算方法,以锐钛矿TiO_2为研究对象,利用计算机模拟技术分析了S掺杂TiO_2的电子结构。用广义梯度近似法对优......
根据有效介质理论，研究了材料的孔隙度对其反射光谱的影响，发现随着孔隙度增加，多孔材料的红外反射光谱呈现下塌趋势，通过比较ＳｉＯ２玻璃与多......
首次采用椭偏光谱仪检测ＨＦ缓冲溶液（ＢＨＦ）处理的Ｓｉ（１１１）表面在空气中的化学稳定性．研究表明：随着Ｓｉ暴露在空气中时间的增长，Ｓｉ的赝介电常数虚部ε２的Ｅ２临界点......
量子阱超晶格和方形截面量子阱线超晶格中极化激元的色散关系被详细讨论．在量子阱超晶格和量子阱线超晶格中，我们得到了四支（不是两支......
用变分法计算了鼻子阱中屏蔽激子的束缚能．屏蔽效应是用有限厚度介质中电子气的介电函数描述的．
Variations were used to calculat......
基于密度泛函理论(DFT)第一性原理计算了Zn1-xBexO化合物的电子结构和光学性质.计算结果表明Zn1-xBexO带隙随掺杂浓度的增加而变大......
采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对CrSi2的能带结构、态密度和光学性质进行了理论计算,能带结构计算表明CrSi2属......
采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对正交相BaSi2的电子结构、态密度和光学性质进行了理论计算,能带结构计算......
基于第一性原理密度泛函理论的赝势平面波方法,对Si(111)基外延稳定正交相OsSi_2的能带结构、态密度以及光电特性进行了研究.研究......
运用密度泛函平面波赝势方法和广义梯度近似,对替代式掺杂Ag和Zn的闪锌矿CdS的超晶胞晶体结构、电子结构和光学性质进行了计算,分......
离子掺杂的液体体系在材料制备和电化学器件设计方面具有重要的应用，组分间介电差异以及离子周围介电函数变化是影响体系性质的......
本文主要对硅的反射率、折射率、吸收系数、介电函数、光电导率、损失函数、能带结构和态密度进行了模拟计算和分析。得到硅的......
基于密度泛函理论，采用赝势平面波方法研究了α－BeH2的结构、电子和光学性质．基态下，α－BeH2晶格常数a和体积弹性模量B0计算值与实验值......
双钙钛矿氧化物Sr2MoBO6(B=Os、Re、W)已被预测为具有高磁转变温度的半金属材料。本论文对Sr2MoBO6的电子结构和光学性质进行了第......
本文从平均极化场出发，根据平均场理论建立有效媒质理论的形状修正模型，并就微粒的实际分布形态，讨论了两种理论的具体形式，以及微粒形......
对于纳米级尺度的量子点或纳米线,虽然局域场的偶极和与块体材料系统相比而言是不相同的,但它们介电函数具有相同的Clausius-Mosso......
应用传递矩阵方法，从光强反射率和透射率得到苯胺等离子体聚合膜的复数折射率和复数介电函数。在０．５μｍ～２．５μｍ波长范围内，膜的折射率ｎｆ不随波长......
利用有效媒质理论描述了金属薄膜形成过程中电导率变化规律，与实验测得的Ａｌ薄膜形成过程中电导率变化结果比较接近．分析和讨论了一些影......
对埋藏金属微粒的复合介质，利用Ｄrude介电理论和等效媒质理论计算了复合介质的介电函数，在此基础上对该复合介质与电介质组成的多层膜......
利用WFZ90 0 D4型紫外 /可见光分光光度计 ,测量了磁控测射超薄Al膜的可见光反射比和透射比。采用牛顿 辛普森方法确定超薄Al膜......
在单晶硅片上 ,以旋涂 (Spin- Coating)法制备了推 -拉型偶氮染料掺杂高分子 (PMMA)薄膜 ,其中二甲基胺基 [N(CH3 ) 2 ]作为推电子......
用反应沉积法 (RDE)制备了一系列铁钴硅化物即 Fe( 1 - x) Cox Si2 薄膜 ,样品中掺杂的 Co含量由卢瑟福背散射 (RBS)确定。本文研......
在非吸收介质中局域化波的某些特性，如窄共振、大传输起伏、强空间相关和对介质介电函数变化的高敏感性等，有可能产生新的一类小型滤......
用椭偏光谱研究了硅片抛光的表面质量.假设一个四相模型,对测量数据进行分析处理.结果表明,(ⅰ)用带间光谱的E_1结构,可以分辨表层......
嵌埋于SiO2中的硅纳米晶体具有结构稳定、发光性质可控和制备简便等特点,受到广泛关注和研究。在设计与研制基
The silicon nanoc......
用标准σ－ω混合方法所构造的介子介电函数，计算了核物质中σ，ω介子的集体激发能谱（或色散关系），并考虑ρ°－ω混合的效应，结果表明ρ°－ω......
