Ⅳ-Ⅵ族半导体相关论文
窄带隙半导体异质结构的自旋效应最近受到了国际上的很大关注.Ⅳ-Ⅵ族半导体具有各向异性和多能谷的特征,因此可以预期Rashba自旋......
第4届全国分子束外延学术会议暨国际研讨会于1997年9月15日至18日在无锡市举行。与会代表90余人。会中有大会邀请报告17篇,分组报......
文章介绍了热壁外延(HWE)技术及其应用。主要介绍了用热壁外延技术制作的几种Ⅳ-Ⅵ族半导体红外探测器和激光器,介绍了这方面国际上近年来......
Ⅳ-Ⅵ族化合物(PbTe、PbSe和PbS等)是一类直接、窄带隙的半导体,主要应用于制备中红外光电子器件。该类器件具有结构简单、光电转......